[发明专利]一种双向晶闸管及电子产品有效
| 申请号： | 201910954528.5 | 申请日： | 2019-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN110600545B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 胡勇海 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/747 | 分类号： | H01L29/747;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳睿臻知识产权代理事务所(普通合伙) 44684 | 代理人： | 张海燕 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双向 晶闸管 电子产品 | ||
1.一种双向晶闸管，其特征在于，包括：
衬底；
形成于所述衬底上的第一阱和第二阱，所述第一阱和/或第二阱上设置有用于载流子发射的触发区域；
所述第二阱用于接收触发脉冲并将载流子发射至所述第一阱，所述第一阱用于将载流子发射至所述衬底，通过增大所述第一阱的触发区域和/或减少所述第二阱的触发区域发射载流子。
2.如权利要求1所述的一种双向晶闸管，其特征在于，还包括设置有凹陷状结构的第三阱，所述第三阱和所述第一阱之间通过沟槽隔离，所述第一阱上的触发区域穿通所述沟槽并通过所述第三阱的凹陷状结构延伸至所述第二阱。
3.如权利要求2所述的一种双向晶闸管，其特征在于，所述第一阱和第二阱的横截面为多边形。
4.如权利要求3所述的一种双向晶闸管，其特征在于，所述第一阱和第二阱上的触发区域设置在所述多边形的角部位置或侧部位置。
5.如权利要求4所述的一种双向晶闸管，其特征在于，所述多边形为四边形，所述第二阱的触发区域设置在所述四边形的侧部位置。
6.如权利要求5所述的一种双向晶闸管，其特征在于，所述第二阱坐落在所述第三阱中，所述第二阱的侧部位置上设置有缺口状触发区域，所述第一阱上的触发区域横向穿通所述沟槽并通过所述第三阱的凹陷状结构与所述第二阱上的缺口状触发区域相对应设置。
7.如权利要求6所述的一种双向晶闸管，其特征在于，所述第二阱上的缺口状结构横截面为倒梯形状，在所述第一阱上与所述倒梯形状对应的横截面为梯形状触发区域。
8.如权利要求4所述的一种双向晶闸管，其特征在于，所述多边形为四边形，所述第二阱的触发区域设置在所述四边形的角部位置。
9.如权利要求8所述的一种双向晶闸管，其特征在于，所述第一阱和第二阱上的触发区域分别至少设置两个。
10.如权利要求9所述的一种双向晶闸管，其特征在于，所述第二阱上的触发区域与所述第一阱上的触发区域的位置对应设置。
11.如权利要求10所述的一种双向晶闸管，其特征在于，所述第二阱上的触发区域的横截面为缺角形状，所述第一阱上触发区域的横截面为与所述第二阱上的触发区域位置对应的正三角状形状或倒三角状形状。
12.如权利要求11所述的一种双向晶闸管，其特征在于，所述正三角状形状位于所述第一阱的角部，所述倒三角状形状位于所述第一阱的侧部。
13.如权利要求1至12任一项所述的一种双向晶闸管，其特征在于，当所述衬底为N型半导体衬底时，所述第一阱和第二阱为N型阱，所述第三阱为P型阱；
当所述衬底为P型半导体衬底时，所述第一阱和第二阱为P型阱，所述第三阱为N型阱。
14.一种电子产品，其特征在于，包括如权利要求1至13任一项所述的双向晶闸管。
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