[发明专利]垂直共振腔面射型激光装置

权利要求书

1.一种垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于，包含：

一半导体基材，具有介于50微米到150微米之间的厚度；

一电流传导层位于该半导体基材上，该电流传导层具有范围介于3E18到5E18之间的载子浓度；

一N型布拉格反射层，接触该电流转换层；

一P型布拉格反射层，位于该N型布拉格反射层上；

一主动发光层，位于该P型布拉格反射层与该N型布拉格反射层之间：

一电流限制层，位于该主动发光层与该P型布拉格反射层之间，该电流限制层具有一电流限位孔；

一金属层，接触该半导体基材，且该半导体基材位于该N型布拉格反射层与该金属层之间，该金属层具有一通孔对准该电流限位孔；

一P型焊垫，欧姆接触于该P型布拉格反射层，且该P型焊垫的一部分对准于该电流限位孔与该通孔；以及

一N型焊垫，欧姆接触于该电流转换层且电性分离于该P型焊垫，其中该P型焊垫与该N型焊垫位于该半导体基材的同一侧，该金属层、该P型焊垫与该N型焊垫各具有介于20微米到40微米之间的厚度，借以相对形成一应力释放系统。

2.根据权利要求1所述的垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于，该半导体基材位于该金属层与该P型焊垫、该N型焊垫之间。

3.根据权利要求1所述的垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于，该主动发光层包含量子井。

4.根据权利要求1所述的垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于，还包含一金属接触层位于该P型焊垫与该P型布拉格反射层之间。

5.根据权利要求1所述的垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于，还包含一金属接触层位于该N型焊垫与该电流传导层之间。

6.根据权利要求1所述的垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于，还包含一抗反射层位于该金属层与该通孔的表面。

7.根据权利要求1所述的垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于，该电流传导层具有介于1.5微米到3微米之间的厚度。

8.根据权利要求1所述的垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于，该P型布拉格反射层于该半导体基材的投影面积小于该N型布拉格反射层于该半导体基材的投影面积。

9.根据权利要求1所述的垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于，还包含一绝缘结构穿越该P型布拉格反射层与该主动发光层。

10.根据权利要求1所述的垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于，还包含一绝缘结构穿越该P型布拉格反射层、该主动发光层以及该N型布拉格反射层。