[发明专利]一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池在审
申请号: | 201910954719.1 | 申请日: | 2019-10-09 |
公开(公告)号: | CN110670046A | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 曾鑫林;张晓攀;单伟;何胜;徐伟智 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/505;C23C16/56;C23C16/02;H01L31/18 |
代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王雨 |
地址: | 310051 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 镀膜腔 氮化硅薄膜 前置 体内 抽真空 沉积 申请 氨气 退火 射频发生器 表面沉积 表面设置 电极浆料 惰性气体 发电效率 欧姆接触 退火处理 占空比 致密性 电极 电离 硅烷 射频 预设 制备 加热 穿透 电池 | ||
本申请公开了一种太阳能电池的制备方法,通过将太阳能电池前置物置于镀膜腔体内加热;将所述镀膜腔体内抽真空;向所述镀膜腔体内输入氨气与硅烷,通过射频电离法在所述太阳能电池前置物表面沉积氮化硅薄膜;其中,射频发生器的占空比为1:5至1:8,包括端点值;经过预设的沉积时间后,将所述镀膜腔体内先抽真空,再充入惰性气体;在所述镀膜腔体内对沉积过所述氮化硅薄膜的太阳能电池前置物进行退火;在经过退火处理的所述太阳能电池前置物表面设置电极,得到所述太阳能电池。本申请降低氮化硅薄膜的致密性,使电极浆料能更顺利地穿透所述氮化硅薄膜与硅形成良好的欧姆接触,提高电池的发电效率。本申请还提供了一种具有上述有益效果的太阳能电池。
技术领域
本申请涉及光伏电池领域,特别是涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池。
背景技术
随着光伏发电技术的不断发展,各种新型高效的太阳能电池层出不穷。尤其随着平价上网时代的到来,如何制作更加高效稳定的电池成为光伏行业的首要任务。
拉脱力是指电池片与焊带的连接强度,是太阳能电池一个特别重要的指标,但是现有的技术拉脱力一直存在隐患,而改善拉脱力的方法,目前都是通过更改电极的浆料配比,以致更改网版设计,使烧结后的栅线能更好地与所述太阳能电池的其他结构相连接。但是一味改变电极材料会引发其他新的问题,如效率偏低,湿重增加,成本增加,烧结窗口变小等。因此,如何在不不增加浆料湿重,不提升成本的前提下提高太阳能电池的拉脱力,是本领域技术人员亟待解决的首要问题。
申请内容
本申请的目的是提供一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池,以解决现有技术中拉脱力较差的问题。
为解决上述技术问题,本申请提供一种太阳能电池的制备方法,包括:
将太阳能电池前置物置于镀膜腔体内加热;
将所述镀膜腔体内抽真空;
向所述镀膜腔体内输入氨气与硅烷,通过射频电离法在所述太阳能电池前置物表面沉积氮化硅薄膜;其中,射频发生器的占空比为1:5至1:8,包括端点值;
经过预设的沉积时间后,将所述镀膜腔体内先抽真空,再充入惰性气体;
在所述镀膜腔体内对沉积过所述氮化硅薄膜的太阳能电池前置物进行退火;
在经过退火处理的所述太阳能电池前置物表面设置电极,得到所述太阳能电池。
可选地,在所述的太阳能电池的制备方法中,在对所述太阳能电池前置物表面沉积氮化硅薄膜之前,还包括:
向所述镀膜腔体内输入氨气,对所述太阳能电池前置物的表面进行预清洗。
可选地,在所述的太阳能电池的制备方法中,所述预清洗为通过所述射频发生器对所述太阳能电池片表面进行预清洗,所述射频发生器的占空比的范围为1:5至1:8,包括端点值。
可选地,在所述的太阳能电池的制备方法中,所述预清洗的时间范围为5秒至30秒,包括端点值。
可选地,在所述的太阳能电池的制备方法中,对所述太阳能电池前置物表面沉积氮化硅薄膜具体包括预热阶段、第一沉积阶段及第二沉积阶段;
所述预热阶段的加热温度范围为430摄氏度至460摄氏度,所述预热阶段的持续时间范围为30秒至120秒,包括端点值。
可选地,在所述的太阳能电池的制备方法中,所述第一沉积阶段的氨气的输入速率的范围为1000标准毫升每分钟至15000标准毫升每分钟,硅烷的输入速率的范围为200标准毫升每分钟至1500标准毫升每分钟,射频发生器的功率的范围为5000瓦至15000瓦,包括端点值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司,未经浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910954719.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的