[发明专利]具有空心结构二硫化锡钼的制备方法

说明书

本发明公开了一种具有空心结构二硫化锡钼的制备方法。以Sn掺杂的MoO₃纳米带、SnS₂纳米片与硫脲按一定比例混合，以水为溶剂，加入以25mL掺杂对位聚苯酚的聚四氟乙烯内胆的水热釜中；加热数十小时，反应结束后自然冷却；将反应得到的产物离心分离，得到二硫化锡钼空心结构。该方法通过简单的实验装置来实现异质结构的批量生产，从而使生产成本被大大降低。

技术领域

本发明涉及纳米空心材料制备领域，具体涉及一种具有空心结构二硫化锡钼的制备方法。

背景技术

研究发现，基于金属硫化物电子器件的性能主要依赖于材料的晶体结构、形貌、几何排列以及组分等特性。由于大部分的过渡金属二硫化物和后过渡金属二硫化物都属于层状化合物，即层与层之间以范德华力相连接，层间则以共价键相连接。从而导致金属硫化物的生长更倾向于生成纳米片，所以直接制备空心结构和框架结构较为困难。

由于层状材料构成的空心结构具有独特的纳米腔，较低的密度，较大的比表面积以及质量与电荷的传输长度减少等特点而备受关注。这种独特的空心结构开辟了其在新领域中的应用，例如催化、吸附和分离、药物储存和输送、以及能量转换和储存等。一般而言，由于金属硫化物具有多种可能的化学计量组成，晶体结构，价态和纳米晶形态，因而它们的电化学活性更高。

发明内容

为解决现有技术中难以制备空心结构的二硫化锡钼的问题，本发明提供了一种具有空心结构二硫化锡钼的制备方法，该方法制备二硫化锡钼过程简单，制得的二硫化锡钼为空心结构。该方法通过简单的实验装置来实现异质结构的批量生产，从而使生产成本被大大降低。

本发明的技术方案如下：

一种具有空心结构二硫化锡钼的制备方法，包括以下步骤：

将Sn掺杂的MoO₃纳米带、SnS₂纳米片与硫脲按一定比例混合，以水为溶剂，加入水热釜中进行水热反应；

充分反应结束后自然冷却；

将获得的产物以不大于2000r/min的转速离心取上层溶液；再将上层溶液以不小于12000r/min的转速离心，离心产物洗涤后得到二硫化锡钼空心结构。

作为本发明的进一步改进，所述的水热反应的条件为240～250℃下加热60～70小时。

作为本发明的进一步改进，所述的Sn掺杂的MoO₃纳米带、SnS₂纳米片的加入的质量比为1:(3～5)。

作为本发明的进一步改进，所述的具有空心结构二硫化锡钼的制备方法，其特征在于，所述的洗涤采用去离子水多次洗涤。

作为本发明的进一步改进，所述的Sn掺杂的MoO₃的量为2-6mg时，二硫化锡钼为空心结构；所述的Sn掺杂量为0.1-0.4时，二硫化锡钼为框架结构。

作为本发明的进一步改进，所述的水热反应是在掺杂对位聚苯酚的聚四氟乙烯内胆的水热反应釜中进行。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：