[发明专利]一种基于大豆蛋白的阻变存储器及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910955015.6 | 申请日： | 2019-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN112635663B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 孙艳梅;温殿忠 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 李恩庆 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 大豆蛋白 存储器 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种基于大豆蛋白阻变存储器，其特征在于：所述的阻变存储器包括溅射有氧化铟锡薄膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底，在氧化铟锡薄膜上覆盖有大豆蛋白薄膜，在大豆蛋白薄膜上覆盖有镁薄膜电极；
大豆蛋白薄膜采用将大豆在去离子水中浸泡后，打碎过滤，获得前驱体溶液，然后室温下，将前驱体溶液旋涂在聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上磁控溅射的氧化铟锡薄膜上，烘干得到。
2.如权利要求1所述的基于大豆蛋白阻变存储器的制备方法，其特征在于：该方法的操作步骤为：
步骤1，将大豆在去离子水中浸泡后，打碎过滤，得到前驱体溶液；
步骤2，室温下，将前驱体溶液旋涂在聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上磁控溅射的氧化铟锡薄膜上，烘干，形成阻变存储层；
步骤3，在阻变存储层上利用掩膜法真空蒸镀制备镁电极矩阵，形成上电极，获得大豆蛋白阻变存储器。
3.根据权利要求2所述的一种基于大豆蛋白阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述的步骤1中每5 mg的大豆加入1 ml的去离子水，大豆在去离子水中浸泡24小时。
4.根据权利要求2所述的一种基于大豆蛋白阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述的步骤1中使用0.22 μm孔径的滤网进行过滤。
5.根据权利要求2所述的一种基于大豆蛋白阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述的步骤2中前驱体溶液旋涂厚度为85±5 nm。
6.根据权利要求2所述的一种基于大豆蛋白阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述的步骤2中烘干温度为30~35℃。
7.根据权利要求2所述的一种基于大豆蛋白阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述的步骤3中上电极为由圆形的镁层构成的矩阵，圆直径为200 um，镁层厚度为200 nm。
8.基于权利要求1所述的大豆蛋白阻变存储器的应用，其特征在于：构建逻辑门的逻辑关系为与非门和或非门；
所述的与非门，将两个2 ms的-1.6 V脉冲信号作为两个输入，定义两个脉冲信号均不输入或输入其中一个信号，输出为1；定义两个脉冲信号均输入，输出为0；
所述的或非门，将两个2 ms的-3 V脉冲信号作为两个输入，定义两个脉冲信号均不输入，输出为1；定义两个脉冲信号均输入或输入其中一个信号，输出为0。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黑龙江大学，未经黑龙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910955015.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
