[发明专利]一种增强型合成Notch受体及其应用有效
申请号: | 201910955429.9 | 申请日: | 2019-10-09 |
公开(公告)号: | CN111269311B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 蔡亮;杨子杰 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | C07K14/705 | 分类号: | C07K14/705;C12N15/12;A61K38/17;A61P35/00;A61P31/00;A61P37/02 |
代理公司: | 上海唯智赢专利代理事务所(普通合伙) 31293 | 代理人: | 吴瑾瑜 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增强 合成 notch 受体 及其 应用 | ||
1.一种增强型合成Notch受体,其特征在于,从N末端到C末端依次包括:
a.特异性识别抗原相关结构的细胞外识别结构域;
b.包含蛋白水解切割位点的Notch核心调节结构域;
c.RAM结构域;
d.细胞内转录调节结构域;
所述的RAM结构域长度为5~100个氨基酸,为人工序列或者源自天然RAM结构域,并且所述的RAM结构域含有至少一个或多个由疏水性氨基酸任意组合的二氨基酸对;所述的疏水性氨基酸选自色氨酸、苯丙氨酸、亮氨酸、异亮氨酸、缬氨酸、甲硫氨酸、半胱氨酸或酪氨酸;
所述的Notch核心调节结构域的蛋白水解切割位点包括一个或多个选自S1、S2或S3蛋白酶裂解位点中的配体诱导型蛋白酶裂解位点。
2.根据权利要求1所述增强型合成Notch受体,其特征在于,所述RAM结构域为含有三个连续的疏水性氨基酸的片段。
3.根据权利要求2所述增强型合成Notch受体,其特征在于,所述三个连续的氨基酸选自:LWF、LWL、LFW、LWW、LFF、LLL。
4.根据权利要求1~3任一项所述增强型合成Notch受体,其特征在于,所述的RAM结构域含有以下氨基酸片段之一:
5.根据权利要求4所述增强型合成Notch受体蛋白,所述RAM结构域序列如SEQ ID No.1~10氨基酸片段之一所示,或者,RAM结构域是N端为SEQ ID No.1~10之一序列、C末端带有任意氨基酸、长度为8~40的氨基酸片段。
6.根据权利要求1所述增强型合成Notch受体,其特征在于,所述的细胞外识别结构域为纳米抗体、单链抗体,或非抗体类别的识别支架;所识别的抗原相关结构域为:抗体特异性结合的肿瘤特异性抗原、肿瘤相关抗原、自身免疫疾病相关抗原、病原体相关抗原、疾病相关抗原或细胞外基质组分。
7.根据权利要求1所述增强型合成Notch受体,其特征在于,细胞内转录调节结构域包含以下结构域的至少一种:DNA结合结构域、转录调节结构域;所述的细胞内转录调节结构域为转录激活结构域或转录阻遏结构域。
8.一种核苷酸,其特征在于,含有用于编码权利要求1~7任一项所述增强型合成Notch受体的核苷酸序列。
9.一种重组表达载体,含有权利要求8所述的核苷酸序列。
10.一种宿主细胞,含有权利要求8所述的核苷酸序列或者权利要求9所述的重组表达载体。
11.权利要求1~7任一项所述的增强型合成Notch受体、权利要求8所述的核苷酸序列、权利要求9所述的重组载体或者权利要求10所述的宿主细胞用于筛选或制备治疗肿瘤、感染或自身免疫疾病的药物。
12.一种降低合成Notch受体配体非依赖性激活或者错误激活的方法,其特征在于,在合成Notch受体的Notch核心调节结构域与细胞内转录调节结构域之间插入RAM结构域;所述的RAM结构域长度为5~100个氨基酸,含有至少一个或多个由疏水性氨基酸任意组合的二氨基酸对;所述的疏水性氨基酸选自色氨酸、苯丙氨酸、亮氨酸、异亮氨酸、缬氨酸、甲硫氨酸、半胱氨酸或酪氨酸。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述RAM结构域含有三个连续的疏水性氨基酸。
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