[发明专利]一种对电极和量子点敏化太阳能电池

权利要求书

1.一种对电极的制备方法，包括以下步骤：

(1)将清洁的钠钙玻璃衬底置于磁控溅射仪舱室内，舱室内设有Mo靶和CuZn合金靶，纯氩气环境：

首先，开启Mo靶，CuZn合金靶关闭：设置Mo靶的溅射功率在80～200W，在常温、压强为1.0～2.0Pa，在所述钠钙玻璃衬底上直流溅射10～30min的金属Mo；设置Mo靶的溅射功率在60～150W，衬底温度为100～200℃、压强为0.10～0.50Pa，直流溅射10～30min的金属Mo；

然后，开启Mo靶和CuZn合金靶：在衬底温度为100～200℃、压强为0.10～0.50Pa的条件下，将CuZn合金靶和Mo靶的初始溅射功率分别设定在40W和200W，溅射时同步升高CuZn合金靶的溅射功率和降低Mo靶的溅射功率，溅射结束时CuZn合金靶和Mo靶的最终溅射功率分别达到200W和40W，溅射时长为10～30min；

最后，Mo靶关闭，仅开启CuZn合金靶：设置CuZn合金靶的溅射功率在80～100W，自然冷却降温下，在压强为0.10～0.35Pa的条件下，射频溅射1～2h的CuZn合金，得到CuZnMo导电薄膜；

(2)将步骤(1)得到的CuZnMo导电薄膜置于浓度为8～12mol/L的盐酸中常温刻蚀4～8min后，用去离子水、乙醇冲洗，氮气吹干，得到多孔CuZnMo导电薄膜；

(3)将步骤(2)得到的多孔CuZnMo导电薄膜置于磁控溅射仪舱室内，舱室内设有ITO靶、纯氩气环境：在压强为0.10～0.50Pa、ITO靶的溅射功率为100～150W、衬底温度为100～200℃的条件下，射频溅射20～40min的ITO作为保护膜；

然后，转入真空管式炉中，在氮气气氛、400～500℃退火1～2h，得到多孔ITO/CuZnMo薄膜；

(4)将步骤(3)得到的多孔ITO/CuZnMo薄膜置于磁控溅射仪舱室内，舱室内设有Cu靶、纯氩气环境：

在常温、压强为0.10～0.50Pa、Cu靶的溅射功率为20～40W的条件下，射频溅射30～40min的金属Cu，得到多层Cu/ITO/CuZnMo薄膜；

(5)向步骤(4)得到的多层Cu/ITO/CuZnMo薄膜的表面滴加多硫电解液，3～6分钟后，用去离子水、无水乙醇冲洗表面，氮气吹干，得到多层Cu_1.75S/ITO/CuZnMo薄膜对电极。