[发明专利]有机发光显示装置在审

专利信息
申请号: 201910956618.8 申请日: 2019-10-10
公开(公告)号: CN111048554A 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 金宰范;金明花;孙暻锡;李承俊;李昇宪;林俊亨 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 张晓;韩芳
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 有机 发光 显示装置
【权利要求书】:

1.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:

基底,具有第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域;

第一半导体元件,包括:第一有源层,设置在所述基底上且在所述第一区域中;第一栅电极,设置在所述第一有源层上;以及第一源电极和第一漏电极,设置在所述第一栅电极上;

第二半导体元件,包括:第二栅电极,设置在所述基底上且在所述第二区域中;第二有源层,设置在所述第二栅电极上;以及第二源电极和第二漏电极,设置在所述第二有源层上;

保护电极,设置在所述第二有源层与所述第二源电极之间以及所述第二有源层与所述第二漏电极之间,所述保护电极具有暴露所述第二有源层的一部分的开口;以及

发光结构,设置在所述第一半导体元件和所述第二半导体元件上。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第二有源层被定位成与所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二源电极和所述第二漏电极叠置。

3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第二有源层在所述保护电极下设置为与所述保护电极的一部分叠置。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述保护电极与所述第一源电极的下表面和所述第二漏电极的下表面接触,并且设置于在所述第一源电极与所述第二漏电极之间设置的空间中,并且

其中,所述保护电极使所述第一源电极和所述第二漏电极电连接。

5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第二有源层不设置于在所述第一源电极与所述第一漏电极之间设置的空间中,而设置于在所述第一源电极与所述第二漏电极之间设置的空间中以及在所述第二源电极与所述第二漏电极之间设置的空间中。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述保护电极不设置于在所述第一源电极与所述第一漏电极之间设置的空间以及在所述第二源电极与所述第二漏电极之间设置的空间两者中,

其中,设置在所述第二源电极与所述第二漏电极之间的空间与所述保护电极的所述开口对应。

7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一半导体元件具有顶栅结构并且包括硅基半导体,并且

其中,所述第二半导体元件具有底栅结构并包括金属氧化物基半导体。

8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置,其中,所述第一半导体元件的所述第一有源层包括非晶硅或多晶硅。

9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括:

栅电极图案,设置在所述第一栅电极上,

其中,所述栅电极图案和所述第二栅电极位于同一层上。

10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括:

栅极绝缘层,在所述基底上覆盖所述第一区域中的所述第一有源层;

第一绝缘中间层,在所述栅极绝缘层上覆盖所述第一区域中的所述第一栅电极;

第二绝缘中间层,在所述第一绝缘中间层上覆盖所述第二区域中的所述第二栅电极;以及

保护绝缘层,在所述第二绝缘中间层上覆盖所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二源电极和所述第二漏电极,并具有暴露所述第一漏电极的一部分的开口。

11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置,其中,所述保护绝缘层在设置在所述第二源电极与所述第二漏电极之间的空间中与所述第二有源层的上表面和所述保护电极的侧壁接触。

12.根据权利要求10所述的有机发光显示装置,其中,所述保护绝缘层在设置在所述第一源电极与所述第一漏电极之间的空间中与所述第二绝缘中间层的上表面、所述第二有源层的侧壁和所述保护电极的侧壁接触。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910956618.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top