[发明专利]低辐射玻璃中银膜在衬底上附着强度的预测方法及装置

权利要求书

1.一种低辐射玻璃中银膜在衬底上附着强度的预测方法，其特征在于，其包括以下步骤：

分别获取银膜于不同覆盖度下在候选衬底材料、第一参比衬底材料上的最优吸附构型的参数；所述参数包括最优吸附构型的总能量、衬底材料在未吸附银原子时的总能量、孤立银原子的能量、不同覆盖度下最优吸附构型中吸附银原子的数量和界面的面积；

通过银原子吸附于衬底上的形成能预测银膜在所述的候选衬底材料上的附着强度；

其中，所述的形成能是指吸附构型中单位界面上因吸附银原子所吸收的能量；

所述的预测银膜在所述的候选衬底材料上的附着强度的步骤如下：

计算不同覆盖度下的第一形成能、第二形成能；所述的第一形成能为Ag在候选衬底材料上的形成能；所述的第二形成能为Ag在第一参比衬底材料上的形成能；形成能的计算公式为：E_forming=(E_tot-E_surf-n×μ)/S，其中，E_forming表示形成能，单位eV；E_tot表示最优吸附构型的总能量，单位eV；E_surf表示衬底材料在未吸附银原子时的总能量，单位eV；μ表示孤立银原子的能量，单位eV；n表示不同覆盖度下最优吸附构型中吸附银原子的数量，取值为1、2、3和4；S表示界面的面积，单位为Ų；

计算第一形成能与第二形成能的差值，其结果越小，则表示在相应的覆盖度下银膜在所述的候选衬底材料上的附着强度越好。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述的最优吸附构型的参数获取方法包括以下步骤：

分别构建候选衬底材料、第一参比衬底材料的表面模型；

分别获取上述衬底材料于不同覆盖度下的银原子最优吸附构型；

分别获取所述的银原子最优吸附构型的参数。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

所述的第一参比衬底材料为镍。

4.一种低辐射玻璃中银膜在衬底上附着强度的预测装置，其特征在于，其包括：

参数获取单元，用于分别获取银膜于不同覆盖度下在候选衬底材料、第一参比衬底材料上的最优吸附构型的参数；所述参数包括最优吸附构型的总能量、衬底材料在未吸附银原子时的总能量、孤立银原子的能量、不同覆盖度下最优吸附构型中吸附银原子的数量和界面的面积；

第一预测单元，用于通过银原子吸附于衬底上的形成能预测银膜在所述的候选衬底材料上的附着强度；

其中，所述的第一预测单元包括：

第一计算模块，用于计算不同覆盖度下的第一形成能、第二形成能；所述的第一形成能为Ag在候选衬底材料上的形成能；所述的第二形成能为Ag在第一参比衬底材料上的形成能；形成能的计算公式为：E_forming=(E_tot-E_surf-n×μ)/S，其中，E_forming表示形成能，单位eV；E_tot表示最优吸附构型的总能量，单位eV；E_surf表示衬底材料在未吸附银原子时的总能量，单位eV；μ表示孤立银原子的能量，单位eV；n表示不同覆盖度下最优吸附构型中吸附银原子的数量，取值为1、2、3和4；S表示界面的面积，单位为Ų；

第一数据处理模块，用于计算第一形成能与第二形成能的差值；

第一预测模块，用于预测银膜在所述的候选衬底材料上的附着强度。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述的参数获取单元还包括：

表面模型构建模块，用于构建候选衬底材料和第一参比衬底材料的表面模型；

吸附构型获取和优化模块，用于获取上述衬底材料于不同覆盖度下的银原子最优吸附构型；

参数获取模块，用于获取所述的银原子最优吸附构型的参数。

6.一种存储介质，包括存储的程序，其特征在于，

在所述的程序运行时控制所述的存储介质所在的设备执行权利要求1至3中任一项所述的方法。

7.一种电子设备，包括存储介质，其特征在于，其包括：

一个或者多个处理器，所述的存储介质与所述的处理器耦合，所述的处理器被配置为执行所述的存储介质中存储的程序指令；所述的程序指令运行时执行权利要求1至3中任一项所述的方法。