[发明专利]晶体硅太阳能电池及其制备方法、光伏组件

权利要求书

1.晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：

在晶体硅基体上形成第一本征多晶硅层；

在所述第一本征多晶硅层上形成具有掺杂元素的多晶硅层；

在所述具有掺杂元素的多晶硅层上形成第二本征多晶硅层；以及

对所述第一本征多晶硅层、所述具有掺杂元素的多晶硅层和所述第二本征多晶硅层进行加热，使所述具有掺杂元素的多晶硅层中的掺杂元素进入所述第一本征多晶硅层和所述第二本征多晶硅层，从而得到晶体硅太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过化学气相沉积法而形成所述第一本征多晶硅层、所述具有掺杂元素的多晶硅层、以及所述第二本征多晶硅层；优选地，所述化学气相沉积法为低压化学气相沉积法、等离子增强化学气相沉积法、常压化学气相沉积法的任一种；优选地，所述化学气相沉积法中，压力范围在0.1～0.5Torr之间，温度范围在500～700℃之间；优选地，用于形成所述第一本征多晶硅层和所述第二本征多晶硅层的反应气体为硅烷。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一本征多晶硅层和所述第二本征多晶硅层的厚度范围在2～2000nm之间。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于,所述具有掺杂元素的多晶硅层中的掺杂元素为磷元素，可选地，用于形成所述具有掺杂元素的多晶硅层的反应气体为硅烷和磷烷。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述硅烷与磷烷的体积流量比为1:(0.02～0.6)；优选地，在所述具有掺杂元素的多晶硅层中，磷元素的浓度范围在1E19～2E22atoms/cm³之间；优选地，所述具有掺杂元素的多晶硅层的厚度范围在4～2000nm之间。

6.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述加热的温度范围在600～900℃之间，所述加热的时间在15～60min之间。

7.晶体硅太阳能电池，其特征在于，通过权利要求1的方法制备，并且通过控制加热条件，最终制备得到的晶体硅太阳能电池中的多晶硅薄膜中的掺杂元素的浓度在整个薄膜厚度范围内均一分布；优选地，所述加热条件为：加热的温度范围在600～900℃之间，加热的时间在15～60min之间。

8.晶体硅太阳能电池，包括晶体硅基体以及具有掺杂元素的多晶硅薄膜，其特征在于，在该多晶硅薄膜的厚度方向上，所述多晶硅薄膜的中间部位的掺杂元素的浓度大于所述多晶硅薄膜的边缘部位的掺杂元素的浓度；

可选地，在该多晶硅薄膜的厚度方向上，从所述多晶硅薄膜的中间部位开始至所述多晶硅薄膜的边缘部位，掺杂元素的浓度呈减小的趋势；

可选地，在该多晶硅薄膜的厚度方向上，所述多晶硅薄膜的靠近晶体硅基体的部位的掺杂元素的浓度小于所述多晶硅薄膜的远离晶体硅基体的部位的掺杂元素的浓度；

可选地，在该多晶硅薄膜的厚度方向上，从所述多晶硅薄膜的靠近晶体硅基体的部位开始至所述多晶硅薄膜的远离晶体硅基体的部位，掺杂元素的浓度呈增加的趋势；

可选地，在该多晶硅薄膜的厚度方向上，所述多晶硅薄膜的靠近晶体硅基体的部位的掺杂元素的浓度大于所述多晶硅薄膜的远离晶体硅基体的部位的掺杂元素的浓度；

可选地，在该多晶硅薄膜的厚度方向上，从所述多晶硅薄膜的靠近晶体硅基体的部位开始至所述多晶硅薄膜的远离晶体硅基体的部位，掺杂元素的浓度呈减小的趋势。

9.根据权利要求7或8所述晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅基体的表面具有氧化硅。

10.光伏组件，包括：

多个权利要求7或8所述的晶体硅太阳能电池，以及

包围所述晶体硅太阳能电池的壳体。