[发明专利]晶片的生成方法

说明书

晶片的生成方法，抑制磨削磨具的消耗量并缩短磨削时间。晶片的生成方法从具有第一端面以及位于该第一端面的相反侧的第二端面的化合物单晶锭生成晶片，包含分离面形成步骤，由卡盘工作台对化合物单晶锭的第二端面进行保持，将对于化合物单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距第一端面相当于要生成的晶片的厚度的深度，使该聚光点与化合物单晶锭相对地移动而对该第一端面照射该激光束，形成由与该第一端面平行的改质层和从该改质层伸长的裂痕构成的分离面。将构成化合物单晶锭的原子量大的原子和原子量小的原子之中原子量小的原子排列的极性面作为该第一端面，在平坦化步骤中对原子量小的原子排列的极性面即第一端面进行磨削。

本申请是原案申请号为201610152814.6的发明专利申请(申请日：2016年3月17日，发明名称：晶片的生成方法)的分案申请。

技术领域

本发明涉及晶片的生成方法，从化合物单晶锭生成晶片。

背景技术

在以硅等作为原材料的晶片的正面上层叠功能层，在该功能层上在通过多个分割预定线划分出的区域中形成有IC、LSI等各种器件。并且，通过切削装置、激光加工装置等加工装置对晶片的分割预定线实施加工，将晶片分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片广泛应用于移动电话、个人计算机等各种电子设备。

并且，在以SiC、GaN等六方晶单晶作为材料的晶片的正面上层叠有功能层，在所层叠的功能层上通过形成为格子状的多条分割预定线进行划分而形成功率器件或者LED、LD等光器件。

形成有器件的晶片通常是利用线切割对锭进行切片而生成的，对切片得到的晶片的正面背面进行研磨而精加工成镜面(例如，参照日本特开2000-94221号公报)。

在该线切割中，将直径约为100～300μm的钢琴丝等一根金属丝缠绕在通常设置于二～四条间隔辅助辊上的多个槽中，按照一定间距彼此平行配置且使金属丝在一定方向或者双向上行进，将锭切片成多个晶片。

但是，当利用线切割将锭切断，并对正面背面进行研磨而生成晶片时，会浪费锭的70～80％，存在不经济这样的问题。特别是SiC、GaN等化合物单晶锭的莫氏硬度较高，利用线切割而进行的切断很困难，花费相当长的时间，生产性较差，在高效地生成晶片方面存在课题。

为了解决这些问题，在日本特开2013-49161号公报中记载了如下技术：将对于SiC具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在化合物单晶锭的内部而进行照射，在切断预定面上形成改质层和裂痕，并施加外力而沿着形成有改质层和裂痕的切断预定面割断晶片，从锭分离晶片。

专利文献1：日本特开第2000-94221号公报

专利文献2：日本特开第2013-49161号公报

但是，在专利文献2所记载的锭的切断方法中存在如下的课题：为了从晶片分离后的锭的端面再次照射激光束而形成包含改质层和从改质层传播的裂痕的分离面，需要对锭的端面进行磨削而精加工为平坦，对锭的端面进行磨削的磨削磨具的消耗量很大并且耗费时间且生产性差。

发明内容

本发明是鉴于上述的点而完成的，其目的在于提供一种晶片的生成方法，该晶片的生成方法在对化合物单晶锭的端面进行磨削的平坦化工序中，能够抑制磨削磨具的消耗量并且能够缩短磨削时间。