[发明专利]提高C在审
申请号: | 201910957513.4 | 申请日: | 2019-10-10 |
公开(公告)号: | CN110739109A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 詹振宇;张启哲;律方成;王刘芳;谢庆;李志兵;卢占会;刘伟;刘子恩;刘春博;褚瑶鹏 | 申请(专利权)人: | 华北电力大学;中国电力科学研究院有限公司;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 |
主分类号: | H01B19/04 | 分类号: | H01B19/04 |
代理公司: | 11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 史双元 |
地址: | 102206 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体氟化处理 绝缘子表面 等离子体 表面电气 反应气体 地电极 绝缘子 高频交流电源 高频交流电 官能团接枝 氟化处理 高压导线 高压电极 环保气体 绝缘介质 气体通道 电极 氟化层 施加 | ||
1.一种提高C4F7N气体中绝缘子表面电气强度的系统,包括:高频交流电源、等离子体氟化处理装置、高压导线、气体通道、反应气体、气体流量调节器,所述等离子体氟化处理装置包括有玻璃外壳,位于所述玻璃外壳内的由电极间绝缘介质、侧壁以及地电极形成的反应腔体,所述绝缘子放置于所述反应腔体底部,在所述反应腔体的顶部设置高压电极,所述高压电极与所述高频交流电源通过所述高压导线连接,其特征在于:所述高压电极、电极间绝缘介质和地电极形成介质阻挡放电结构,为所述反应腔体提供等离子体环境,所述反应气体为Ar和CF4,其中Ar为保护气,当给所述高压电极施加高频交流电时,所述反应气体在所述电极间绝缘介质与所述地电极之间形成等离子体,通过该等离子体对处于所述反应腔体中的所述绝缘子进行表面处理,使CF4气体分子产生的官能团接枝在所述绝缘子表面,并形成氟化层,从而提高了所述绝缘子在C4F7N气体中的表面电气强度。
2.根据权利要求1所述的一种提高C4F7N气体中绝缘子表面电气强度的系统,其特征在于:所述绝缘子设置在所述地电极上。
3.根据权利要求1所述的一种提高C4F7N气体中绝缘子表面电气强度的系统,其特征在于:所述高压电极的一部分通过绝缘件固定在所述玻璃外壳上,且该部分与所述高频交流电源连接;所述高压电极的另一部分与所述电极间绝缘介质11紧密贴合。
4.根据权利要求1所述的一种提高C4F7N气体中绝缘子表面电气强度的系统,其特征在于:所述高压电极和地电极为铜板或铝板。
5.根据权利要求3所述的一种提高C4F7N气体中绝缘子表面电气强度的系统,其特征在于:所述绝缘件的材料为环氧树脂。
6.根据权利要求3所述的一种提高C4F7N气体中绝缘子表面电气强度的系统,其特征在于:所述电极间绝缘介质和所述高压电极贴合的表面形状相同。
7.根据权利要求1所述的一种提高C4F7N气体中绝缘子表面电气强度的系统,其特征在于:所述电极间绝缘介质和所述侧壁的材料为石英玻璃。
8.根据权利要求1所述的一种提高C4F7N气体中绝缘子表面电气强度的系统,其特征在于:所述电极间绝缘介质覆盖在所述反应腔体顶部,其尺寸略大于所述反应腔体。
9.根据权利要求1所述的一种提高C4F7N气体中绝缘子表面电气强度的系统,其特征在于:所述气体流量调节器用于调节进入所述反应腔体中的所述反应气体的流量。
10.根据权利要求1所述的一种提高C4F7N气体中绝缘子表面电气强度的系统,其特征在于:所述反应气体通过穿过所述玻璃外壳和所述侧壁的进气通道进入,通过穿过所述地电极和所述玻璃外壳底部的排气通道排出。
11.根据权利要求1-10任一项所述的一种提高C4F7N气体中绝缘子表面电气强度的系统,其特征在于:所述绝缘子在所述反应腔体内氟化处理的时间为5-15min。
12.根据权利要求11所述的一种提高C4F7N气体中绝缘子表面电气强度的系统,其特征在于:所述绝缘子在所述反应腔体内氟化处理的时间为10min。
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