[发明专利]一种高量子效率CCD结构在审
申请号: | 201910957618.X | 申请日: | 2019-10-10 |
公开(公告)号: | CN110676279A | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 杨洪;白雪平;姜华男;袁世顺;翁雪涛 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
代理公司: | 50215 重庆辉腾律师事务所 | 代理人: | 王海军 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 蓝光 分组 多晶硅栅 多晶硅条 接触孔 电荷耦合器件 高量子效率 金属引线 量子效率 像元信号 转移效率 电学 等大 像元 架构 退化 互联 分割 保证 | ||
1.一种高量子效率CCD结构,包括:第一垂直分组、第二垂直分组、第三垂直分组、第四垂直分组,每个垂直分组包括垂直CCD多晶硅栅、第一蓝光窗口和第二蓝光窗口,其特征在于,所述垂直CCD多晶硅栅包括至少四根多晶硅条,从上到下分别为第一多晶硅条、第二多晶硅条、第三多晶硅条、第四多晶硅条,且每根多晶硅条上设置有2个接触孔;所述第一蓝光窗口和第二蓝光窗口分别位于垂直CCD多晶硅栅的左、右两侧,从而形成双蓝光窗口像元架构;所述第一蓝光窗口和第二蓝光窗口各自按照左右分割的方式,均匀分成三个面积等大的区域,分别是分区1、分区2和分区3;不同垂直分组之间通过金属引线连接接触孔实现电学互联。
2.根据权利要求1所述的一种高量子效率CCD结构,其特征在于,第一垂直分组、第二垂直分组、第三垂直分组、第四垂直分组从上到下依次连接,且该四个分组的结构相同。
3.根据权利要求1所述的一种高量子效率CCD结构,其特征在于,每根多晶硅条上的接触孔的设置方式包括:每根多晶硅条上均设置有两个接触孔,接触孔呈矩形结构,且四个分组的垂直CCD多晶硅栅上接触孔位置相同。
4.根据权利要求1所述的一种高量子效率CCD结构,其特征在于,不同分组之间的电学互联方式包括:各个垂直分组中第一多晶硅条的接触孔之间通过金属引线连接,各个垂直分组中第二多晶硅条的接触孔之间通过金属引线连接,各个垂直分组中第三多晶硅条的接触孔之间通过金属引线连接,各个垂直分组中第四多晶硅条的接触孔之间通过金属引线连接,实现电学互联。
5.根据权利要求1所述的一种高量子效率CCD结构,其特征在于,分别向蓝光窗口的三个分区内注入不同浓度梯度的磷离子形成电势梯度。
6.根据权利要求5所述的一种高量子效率CCD结构,其特征在于,分区1、分区2和分区3注入的磷离子浓度分别是2.5e12cm-2、3.0e12cm-2、3.5e12cm-2。
7.根据权利要求6所述的一种高量子效率CCD结构,其特征在于,采用离子注入机实现三个分区的磷离子注入,所述离子注入机的注入能量值设置为250keV。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的