[发明专利]一种一维铜碘基杂化半导体材料及其光电应用有效
| 申请号： | 201910957801.X | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110590816B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 许让栋;刘广宁;赵若愚;吴倩;张洁;王洋洋;李村成 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C07F1/08 | 分类号： | C07F1/08;H01L51/46;H01L51/42 |
| 代理公司： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240 | 代理人： | 赵凤 |
| 地址： | 250022 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 一维铜碘基杂化 半导体材料 及其 光电 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有光电转换性能的一维铜碘基杂化钙钛矿半导体材料，其特征在于：该杂化材料的结构式为CuI(Btz)，式中的Btz表示苯并噻唑；所述的铜碘基杂化材料结晶于单斜晶系，P21/c空间群，单胞参数为a = 4.19(2) Å，b=12.32(2) Å，c=16.43(1) Å，α=90 º，β=90.14(2) º，γ=90 º，材料的晶体颜色为淡黄色，表现为有机配体和无机组分通过配位键相连的杂化一维链结构，具体结构特征为每个铜离子均与三个碘离子和一个苯并噻唑的氮原子配位形成CuI3N四面体单元，所有I原子均作为μ3桥连原子，形成铜碘交替的阶梯式一维链结构，有机配体则通过铜氮配位键呈翼状分布在铜碘链的两侧。
2.一种权利要求1所述的一维铜碘基杂化钙钛矿半导体材料的用途，其特征在于：该材料用作光伏器件和光探测器件的制作。
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