[发明专利]半导体存储器装置、控制器、存储装置及其操作方法

权利要求书

1.一种控制半导体存储器装置的操作的控制器，包括：

擦除页面搜索控制器，确定所述半导体存储器装置的搜索模式，基于所述搜索模式在多个页面之中选择待搜索页面，并且生成对应于所选择页面的搜索控制信号；

命令生成器，基于所述搜索控制信号生成针对所述所选择页面的搜索读取命令；以及

数据接收器，从所述半导体存储器装置接收对应于所述搜索读取命令的搜索读取数据，

其中所述搜索读取命令是用于控制所述半导体存储器装置通过将读取电压施加到包括对应于所述所选择页面的字线的多个字线来执行读取操作的命令。

2.根据权利要求1所述的控制器，其中所述数据接收器将所述搜索读取数据传输到所述擦除页面搜索控制器，并且

其中所述擦除页面搜索控制器基于所述搜索读取数据来确定所述所选择页面是否是初始擦除页面。

3.根据权利要求2所述的控制器，其中所述初始擦除页面是用作所选择存储块中的多个页面之中编程状态与擦除状态之间的边界的擦除页面。

4.根据权利要求3所述的控制器，其中当所述所选择页面不是所述初始擦除页面时，所述擦除页面搜索控制器改变所述待搜索页面并生成对应于改变后页面的搜索控制信号。

5.根据权利要求4所述的控制器，其中所述擦除页面搜索控制器通过二分搜索方法或线性搜索方法来改变所述待搜索页面。

6.根据权利要求1所述的控制器，进一步包括一般操作控制器，所述一般操作控制器从主机接收请求并生成对应于所述请求的一般控制信号，

其中所述命令生成器基于所述一般控制信号生成一般操作命令，以控制所述半导体存储器装置的一般操作。

7.一种半导体存储器装置，包括：

存储器单元阵列，包括多个存储块；

外围电路，对所述存储器单元阵列执行搜索读取操作；以及

控制逻辑，基于从控制器接收的搜索读取命令控制所述外围电路对所述存储器单元阵列的所选择存储块执行所述搜索读取操作，

其中在所述搜索读取操作期间，所述外围电路通过将读取电压施加到与所述所选择存储块联接的多个字线之中的多个字线，并且将通过电压施加到所述多个字线之中的剩余字线来执行读取操作。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中所述所选择存储块包括第一页面至第n页面，并且

从所述第一页面开始对所述第一页面至所述第n页面进行编程，并且具有较小编号的页面在具有较大编号的页面之前被编程，

其中n是大于1的自然数。

9.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中当所述控制逻辑接收到针对第i页面的所述搜索读取命令时，所述控制逻辑控制所述外围电路通过将所述通过电压施加到与第一页面至第(i-1)页面联接的字线并将所述读取电压施加到与所述第i页面至所述第n页面联接的字线来执行读取操作，

其中i是大于1且等于或小于n的自然数。

10.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中所述控制逻辑响应于接收到一般读取命令，控制所述外围电路对所述存储器单元阵列执行一般读取操作，并且

其中在所述一般读取操作期间，所述外围电路通过将所述读取电压施加到与所述所选择存储块联接的所述多个字线之中的所选择字线并将所述通过电压施加到所述多个字线之中的未选择字线来执行读取操作。

11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中所述所选择存储块包括第一页面至第n页面，并且

其中当所述控制逻辑接收到针对第i页面的所述一般读取命令时，所述控制逻辑控制所述外围电路通过将所述通过电压施加到与第一页面至第(i-1)页面和第(i+1)页面至第n页面联接的字线并将所述读取电压施加到与所述第i页面联接的字线来执行所述读取操作，

其中n是大于1的自然数，并且i是大于1且等于或小于n的自然数。