[发明专利]一种纯化铝合金的方法

权利要求书

1.一种纯化铝合金的方法，包括：

（a）在其中具有多孔膜的容器中提供处于熔融状态的铝合金，所述多孔膜能够将熔融铝容纳在容器中并且可被熔融电解质渗透；

（b）在电解质存在下，将铝通过所述多孔膜电解转移到阴极，该转移以大于[200]500安培/英尺2的电流密度进行，其特征在于沉积基本上全部通过铝转移的铝，在阴极处的多孔膜，从而通过将铝与其合金成分分离而基本上将其纯化。

2.根据权利要求1的方法，其中多孔膜的最大平均孔径为635微米。

3.根据权利要求1的方法，其中采用多孔碳作为多孔膜。

4.根据权利要求3的方法，其中多孔碳的平均孔径为5-425微米。

5.根据权利要求1的方法，其中所述电解质包括选自氟化铝和氯化铝的至少一种盐和选自钠，钾，锂，锰和卤化镁的至少一种盐。

6.根据权利要求5的方法，其中所用的电解质包括至少一种选自氟化铝和氯化铝的盐和至少一种选自钠，钾，锂，锰和氯化镁的盐。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电解质基本上由5至95重量％的电解质组成4至70重量％的LiCl％的氯化钾和1至25wt％AlF3。

8.根据权利要求1的方法，其中所述电解质的温度为675℃至925℃。

9.根据权利要求1所述的方法，其中以至少[300]500安培/英尺2的电流密度转移铝。

10.一种纯化铝合金的方法，包括：

（a）将铝合金提供在其中具有多孔碳膜的容器中，所述多孔膜的最大平均孔径为635微米，并且可被包含至少一种选自氟化铝和铝的盐的熔融电解质所渗透，氯化铝和至少一种选自钠，钾，锂，锰和卤化镁的盐；

（b）在675℃至925℃的温度范围内，在电解质的存在下，通过所述多孔膜将铝电解转移至阴极，转移在[300]500的电流密度下进行铝至约3000安培/英尺其特征在于基本上将通过多孔膜转移的所有铝沉积在阴极上，从而通过将铝与合金成分分离而基本上将其纯化。