[发明专利]非易失性存储器装置、对其执行操作的方法以及存储装置

说明书

公开一种非易失性存储器装置、对其执行操作的方法以及存储装置。一种非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器块，其中，所述多个存储器块中的每个存储器块包括均包括存储器单元的页；行解码器电路，在写入操作中从所述多个存储器块中的选择的存储器块选择所述多个页中的一个页，并且在关闭操作中从选择的存储器块选择关闭单元的存储器单元；以及页缓冲器电路，在写入操作中将数据写入由行解码器电路选择的页的存储器单元中，并且在关闭操作中将虚设数据写入由行解码器电路选择的关闭单元的存储器单元中。关闭单元包括一个或多个页，在关闭操作中，行解码器电路调节关闭单元的大小。

本申请要求于2018年11月7日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0135621号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及一种半导体存储器，更具体地讲，涉及一种自适应地关闭打开的存储器块的非易失性存储器装置，包括该非易失性存储器装置的存储装置，以及访问该非易失性存储器装置的方法。

背景技术

非易失性存储器装置被配置为即使电源关闭也保留先前存储的数据。非易失性存储器装置包括闪存装置、相变存储器装置、铁电存储器装置、磁存储器装置、电阻式存储器装置等。

随着闪存装置的集成度增大，存储器单元之间的空间可变得更窄。这导致存储器单元之间的耦合的影响的增大。因此，需要一种用于防止存储器单元的数据被耦合干扰的装置或方法。

发明内容

一方面提供一种防止数据由于耦合而受到干扰并具有提高的可靠性的非易失性存储器装置、包括该非易失性存储器装置的存储装置，以及访问该非易失性存储器装置的方法。

根据示例性实施例的一方面，提供一种非易失性存储器装置，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器块，其中，所述多个存储器块中的每个存储器块包括均包括多个存储器单元的多个页；行解码器电路，在写入操作中从所述多个存储器块中的选择的存储器块选择所述多个页中的一个页，并且在关闭操作中从选择的存储器块选择关闭单元的存储器单元；以及页缓冲器电路，在写入操作中将数据写入由行解码器电路选择的页的存储器单元中，并且在关闭操作中将虚设数据写入由行解码器电路选择的关闭单元的存储器单元中。关闭单元包括一个或多个页。在关闭操作中，行解码器电路调节关闭单元的大小。

根据示例性实施例的另一方面，提供一种存储装置，包括：非易失性存储器装置，包括多个存储器块，其中，所述多个存储器块中的每个存储器块包括均包括多个存储器单元的多个页；以及控制器，将要从所述多个存储器块中选择的选择的存储器块的地址和关闭命令发送到非易失性存储器装置。非易失性存储器装置响应于关闭命令执行关闭操作，其中，在关闭操作中，虚设数据被写入在关闭单元中的选择的存储器块的存储器单元之中的先前未写入数据的存储器单元中。在关闭操作中调节关闭单元。

根据示例性实施例的另一方面，提供一种对非易失性存储器装置执行关闭操作的方法，所述非易失性存储器装置包括多个存储器块，所述多个存储器块中的每个存储器块包括多个存储器单元，所述方法包括：将虚设数据写入从所述多个存储器块中选择的存储器块的存储器单元之中的数据未被先前写入的第一存储器单元之中的第一大小的存储器单元中，以及将虚设数据写入第一存储器单元之中的第二大小的存储器单元中。第二大小与第一大小不同。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，以上和其他方面将变得清楚，其中：

图1是示出根据实施例的存储装置的框图；

图2是示出根据实施例的非易失性存储器装置的框图；

图3是示出图2的非易失性存储器装置的多个存储器块中的一个存储器块的示例的电路图；

图4示意性地示出图3的存储器块的第一存储器单元至第八存储器单元；