[发明专利]多芯片叠层封装结构用金属构件及其贴装方法和封装体有效

专利信息
申请号: 201910959035.0 申请日: 2019-10-10
公开(公告)号: CN112652600B 公开(公告)日: 2023-03-17
发明(设计)人: 阳小芮;陈文葛 申请(专利权)人: 上海凯虹科技电子有限公司;达迩科技(成都)有限公司;上海凯虹电子有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 翟羽
地址: 201612 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 结构 金属构件 及其 方法
【说明书】:

一种多芯片叠层的金属构件贴装方法,包括:在一引线框架上设置复数个第一芯片的步骤;在所述复数个第一芯片背离所述引线框架的表面上设置第一金属构件的步骤;在所述第一金属构件背离所述引线框架的表面上设置复数个第二芯片的步骤;以及,在所述复数个第二芯片背离所述引线框架的表面上设置第二金属构件的步骤;其中,所述第一金属构件与所述第二金属构件中的至少一者包括复数个串联的连接片。

技术领域

发明涉及半导封装领域,特别涉及一种多芯片叠层封装结构用金属构件、该金属构件的其贴装方法,以及一种封装体。

背景技术

多芯片叠层封装结构是本领域中常用到的封装结构。

如图1所示的,通常多芯片叠层封装结构100包括:用于贴装第一芯片的引线框架101,贴装于所述引线框架101上的第一芯片102,与所述引线框架101及所述第一芯片102焊接的第一铜片103,贴装于所述第一铜片103上的第二芯片104,与所述引线框架101及所述第二芯片104焊接的第二铜片105。

在形成图1所示的多芯片叠层封装结构100时,所述第一铜片103及所述第二铜片105均为单颗粒焊接,即,在所述第一铜片103及所述第二铜片105的回流焊制程中,第一铜片103及第二铜片105均为单个铜片焊接。当所述引线框架101上设置有多个第一芯片102时,是在每一个第一芯片102(或第二芯片104)上分别设置一个第一铜片103(或第二铜片105),然后进行回流焊制程。

然而,由于回流焊制程中常常出现铜片(第一铜片103和/或第二铜片105)漂移的情况,这会导致铜片(第一铜片103和/或第二铜片105)的焊接精度大大降低,导致焊接不到位。

因此,有必要提供一种新的用于多芯片叠层封装结构的金属构件及其贴装方法和封装体,以克服上述缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种多芯片叠层封装结构用金属构件及其贴装方法,通过将所述金属构件设置为串联形式,使得金属构件可以按照框架的单列颗粒数量的整除倍数进行多颗串联焊接,直到封装切割的时候再进行一起切断。这样,提高了焊接的精确度,减少了金属构件偏移量,实现多芯片叠层封装结构中的金属构件高精度焊接。

为了达到上述目的,根据本发明的一方面,提供一种多芯片叠层封装结构用金属构件,用于电性连接所述多芯片叠层封装结构内的多个芯片,所述金属件包括串联的复数个连接片,每一所述连接片对应所述多芯片叠层封装结构中的一个芯片,相邻所述连接片之间通过至少一连接筋相互连接。

在本发明一实施例中,所述多芯片叠层封装结构用金属构件的材料为铜。

根据本发明的另一方面,提供一种多芯片叠层的金属构件贴装方法,包括:在一引线框架上设置复数个第一芯片的步骤;在所述复数个第一芯片背离所述引线框架的表面上设置第一金属构件的步骤;在所述第一金属构件背离所述引线框架的表面上设置复数个第二芯片的步骤;以及,在所述复数个第二芯片背离所述引线框架的表面上设置第二金属构件的步骤;其中,所述第一金属构件与所述第二金属构件中的至少一者包括复数个串联的连接片。

在本发明一实施例中,所述第一金属构件包括串联的复数个第一连接片,相邻所述第一连接片之间通过一第一连接筋相互连接;其中,每一所述第一连接片对应一所述第一芯片。

在本发明一实施例中,所述第二金属构件包括串联的复数个第二连接片,相邻所述第二连接片之间通过一第二连接筋相互连接;其中,每一所述第二连接片对应一所述第二芯片。

在本发明一实施例中,所述引线框架包括复数个阵列排列的框架单元,每一所述框架单元上设置一所述第一芯片,并且每一所述第一芯片对应设置一所述第二芯片。

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