[发明专利]半导体元件内部影像信息检测方法在审
| 申请号： | 201910959063.2 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112649444A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 魏汝超;孙泰炎;罗仁昱;陈东林 | 申请（专利权）人： | 超能高新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 内部 影像 信息 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元件内部影像信息的检测方法，用以得到半导体元件内部信息的三维分布关系，其特征在于，包含下列步骤：
(A)将镜头焦平面移动对焦至半导体元件表面，再依检测需求将焦平面移至半导体元件内部特定高度层，并对半导体元件内部该高度层进行扫描；
(B)依据该影像判断分析半导体元件内部信息；
(C)综合该影像高度层位置与上述内部信息，得到半导体元件内部信息的三维分布关系。
2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，步骤A所述镜头焦平面的移动方式，为移动镜头焦平面的机械线性移动机构，藉由移动镜头的位置，达到移动镜头焦平面的目的，或为一棱镜总成，通过该棱镜总成内棱镜位置移动达成焦平面移动。
3.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，上述镜头为一具有一景深范围的镜头，用以取得该景深范围内焦平面的影像，镜头为暗视野镜头、相位差镜头、偏光镜头或明视野镜头。
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