[发明专利]一种香豆素基桥联硅烷及其制备方法

权利要求书

1.一种香豆素基桥联硅烷，其特征在于，该香豆素基桥联硅烷具有如下式Ⅰ所示结构：

其中，式Ⅰ所示结构中，X为甲氧基或乙氧基；Y₁为甲基、乙基、异丙基、甲氧基或乙氧基；Y₂为甲基、乙基、异丙基、甲氧基或乙氧基。

2.权利要求1所述的香豆素基桥联硅烷的制备方法，包括步骤如下：

(1)于溶剂A中，催化剂二氧化硒存在下，式Ⅱ化合物经氧化反应制备得到中间产物1；于溶剂B中，还原剂存在下，中间产物1经还原反应制备得到式Ⅲ化合物；

(2)通过使式Ⅲ化合物与氯乙酰氯经酰化反应制备式Ⅳ化合物；

(3)通过使式Ⅳ化合物与式Ⅴ化合物进行取代反应制备香豆素基桥联硅烷(Ⅰ)；

其中，式Ⅴ化合物结构式中，X为甲氧基或乙氧基；Y₁为甲基、乙基、异丙基、甲氧基或乙氧基；Y₂为甲基、乙基、异丙基、甲氧基或乙氧基。

3.根据权利要求2所述的香豆素基桥联硅烷的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的溶剂A为1,4–二氧六环或邻二甲苯；所述溶剂A与式Ⅱ化合物的体积摩尔比为5～8mL：1mmol；所述的式Ⅱ化合物和二氧化硒的摩尔比为1:1～2；步骤(1)中所述的氧化反应的反应温度是80～110℃；反应时间为12～72h。

4.根据权利要求2所述的香豆素基桥联硅烷的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的还原反应的步骤为：将中间产物1溶于溶剂B中，在0～4℃冰水浴条件下分批加入还原剂，之后将反应体系升至室温反应。

5.根据权利要求2所述的香豆素基桥联硅烷的制备方法，其特征在于，步骤(1)中包括以下条件中的一项或多项：

a、所述的溶剂B为甲醇或乙醇；所述溶剂B与中间产物1的体积摩尔比为5～8mL：1mmol；

b、所述的还原剂为硼氢化钠或氢化铝锂；

c、所述的式Ⅱ化合物和还原剂的摩尔比为1:1～3.5；

d、所述的还原反应时间为4～8h。

6.根据权利要求2所述的香豆素基桥联硅烷的制备方法，其特征在于，步骤(1)中经还原反应所得的反应液的后处理方法如下：向还原反应所得的反应液中加入稀盐酸水解，所述稀盐酸中HCl与式Ⅱ化合物的摩尔比为1～3:1，之后用二氯甲烷萃取三次，将有机相依次用去离子水、饱和碳酸氢钠溶液和去离子水各洗涤三次，经干燥剂干燥后，抽滤、蒸发溶剂浓缩后，柱层析提纯得到式Ⅲ化合物。

7.根据权利要求6所述的香豆素基桥联硅烷的制备方法，其特征在于，包括以下条件中的一项或多项：

a、所述的稀盐酸的浓度为0.1～1mol/L；

b、所述的干燥剂为无水硫酸镁、无水硫酸钠、无水氯化钙或分子筛；

c、所述的柱层析提纯方法中，固定相为硅胶，洗脱剂为二氯甲烷和丙酮的混合溶剂，所述混合溶剂中二氯甲烷和丙酮体积比为3～6:1。

8.根据权利要求2所述的香豆素基桥联硅烷的制备方法，其特征在于，步骤(2)中式Ⅲ化合物与氯乙酰氯经酰化反应制备式Ⅳ化合物的步骤包括：将步骤(1)中得到的式Ⅲ化合物溶于溶剂C中，加入三乙胺，0～4℃冰水浴条件下缓慢滴加氯乙酰氯，之后将反应体系升至室温反应，反应完成后，过滤除去三乙胺盐、旋蒸除去溶剂，用水洗涤，经干燥剂干燥后，抽滤、蒸发溶剂浓缩后，柱层析提纯得到式Ⅳ化合物。