[发明专利]一种沟槽栅型IGBT结构在审
| 申请号： | 201910959594.1 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112652657A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 金锐;李立;和峰;赵哿;王耀华;刘江;高明超;吴军民;潘艳;白鹭;李冠良 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 igbt 结构 | ||
1.一种沟槽栅型IGBT结构，其特征在于，所述IGBT结构包括：N型参杂发射区(11)、所述P型掺杂深结区(10)、多晶硅假栅极结构(7)；
所述多晶硅假栅极结构(7)与所述N型参杂发射区(11)相连，且所述多晶硅假栅极结构(7)的底部插入所述P型掺杂深结区(10)。
2.如权利要求1所述的一种沟槽栅型IGBT结构，其特征在于，所述IGBT结构还包括正面金属电极(12)；
所述多晶硅假栅极结构(7)为“T”形，所述“T”形的“一”部通过正面金属电极(12)与所述N型参杂发射区(11)相连，“T”形的“丨”部插入所述P型掺杂深结区(10)。
3.如权利要求2所述的一种沟槽栅型IGBT结构，其特征在于，所述IGBT结构还包括：多晶硅沟槽栅极结构(6)，所述多晶硅沟槽栅极结构(6)为倒“L”型，所述倒“L”型的“丨”设置于所述P型掺杂深结区(10)和所述N型参杂发射区(11)之间；
所述多晶硅沟槽栅极结构(6)的“一”部与外界电极(13)相连。
4.如权利要求3所述的一种沟槽栅型IGBT结构，其特征在于，所述IGBT结构还包括栅氧化层(5)；
所述多晶硅假栅极结构(7)和所述P型掺杂深结区(10)之间设有所述栅氧化层(5)；
所述多晶硅沟槽栅极结构(6)的倒“L”型的“丨”被所述栅氧化层(5)包裹，使所述多晶硅沟槽栅极结构(6)与所述P型掺杂深结区(10)和所述N型参杂发射区(11)隔离。
5.如权利要求3所述的一种沟槽栅型IGBT结构，其特征在于，所述IGBT结构还包括：隔离氧化层(8)；
所述隔离氧化层(8)设置在同一水平面上的所述多晶硅沟槽栅极结构(6)和所述多晶硅假栅极结构(7)上，形状为“F”形，“F”形的开口冲下，形状适应并隔离所述多晶硅沟槽栅极结构(6)和所述多晶硅假栅极结构(7)。
6.如权利要求5所述的一种沟槽栅型IGBT结构，其特征在于，所述多晶硅沟槽栅极结构(6)的倒“L”型的两边连接处外端设有长方形凹陷，凹陷适应于所述隔离氧化层(8)的前端底部。
7.如权利要求3所述的一种沟槽栅型IGBT结构，其特征在于，所述外界电极(13)设置在所述IGBT结构的终端。
8.如权利要求5所述的一种沟槽栅型IGBT结构，其特征在于，所述IGBT结构还包括：P型掺杂阱区(9)；
所述P型掺杂阱区(9)设置在所述N型参杂发射区(11)左下端。
9.如权利要求1所述的一种沟槽栅型IGBT结构，其特征在于，所述IGBT结构还包括：背面金属电极(4)、集电区P型掺杂区(3)、缓冲层(2)和N型漂移区(1)；
所述N型漂移区(1)的一端连所述P型掺杂深结区(10)，另一端还依次连接所述缓冲层(2)、集电区P型掺杂区(3)和背面金属电极(4)。
10.如权利要求3所述的一种沟槽栅型IGBT结构，其特征在于，所述多晶硅沟槽栅极结构(6)和所述多晶硅假栅极结构(7)为同一材质。
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