[发明专利]一种自补偿自由基离子盐及其制备方法、光电器件

权利要求书

1.一种自补偿自由基离子盐，其特征在于，所述自补偿自由基离子盐选自

2.一种如权利要求1所述的自补偿自由基离子盐的制备方法，其特征在于，包括步骤：

将含N共轭杂环与卤代烃混合，反应得到自由基离子盐前体，所述含N共轭杂环选自所述卤代烃为脂肪族卤代烃和芳香族卤代烃中的一种或两种；

向所述自由基离子盐前体中加入反离子盐并混合，反应得到所述自补偿自由基离子盐。

3.一种如权利要求1所述的自补偿自由基离子盐的制备方法，其特征在于，所述自补偿自由基离子盐BOZ-TfO由以下方法制备：

4.一种如权利要求1所述的自补偿自由基离子盐的制备方法，其特征在于，所述自补偿自由基离子盐HATCN-OSB由以下方法制备：

5.根据权利要求2所述自补偿自由基离子盐的制备方法，其特征在于，所述将含N共轭杂环与卤代烃混合，反应得到自由基离子盐前体的步骤包括：

利用液氮将含N共轭杂环与卤代烃形成的混合物冻成固体，抽真空后充入干燥的惰性气体，得到反应物体系；

将所述反应物体系密封并置于反应器中，在80-170℃的条件下搅拌反应，制得所述自由基离子盐前体。

6.根据权利要求2所述自补偿自由基离子盐的制备方法，其特征在于，所述向所述自由基离子盐前体中加入反离子盐并混合，反应得到所述自补偿自由基离子盐的步骤包括：

将反离子盐加入所述自由基离子盐前体中，通过内部离子交换得到自补偿自由基离子盐混合物；

通过良溶剂与不良溶剂的相互溶解-析出过程对所述自补偿自由基离子盐混合物进行纯化，得到所述自补偿自由基离子盐。

7.根据权利要求2所述自补偿自由基离子盐的制备方法，其特征在于，所述反离子盐为无机离子盐、有机离子盐和有机离子液体中的一种或多种。

8.一种光电器件，其特征在于，所述光电器件包括阴极以及设置在所述阴极表面的阴极界面修饰层，所述阴极界面修饰层材料为权利要求1所述的自补偿自由基离子盐。

9.根据权利要求8所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件包括机发光二极管、有机太阳能电池、钙钛矿电池和钙钛矿发光二极管中的一种或多种。