[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一基底；

一半导体层，设置于该基底上；以及

一阻挡结构，设置于该基底与该半导体层之间；

其中该阻挡结构的一尺寸大于该半导体层的一尺寸。

2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一隔离层，其中该隔离层设置于该阻挡结构与该基底之间。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该阻挡结构由一阻障层以及一顶盖层所构成，该阻障层具有一尺寸，该阻障层的该尺寸等于该基底的一尺寸，且该顶盖层至少覆盖该阻障层的两侧。

4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该阻挡结构由一阻障层以及一顶盖层所构成，该阻障层具有一尺寸，该阻障层的该尺寸等于该基底的一尺寸，且该顶盖层至少覆盖该阻障层的两侧。

5.如权利要求3所述的半导体元件，其中该阻障层由铜所形成，且该顶盖层由铜及锗的合金所形成。

6.如权利要求4所述的半导体元件，其中该阻障层由铜所形成，且该顶盖层由铜及锗的合金所形成。

7.如权利要求5所述的半导体元件，其中该顶盖层的一厚度为2纳米到10纳米。

8.如权利要求6所述的半导体元件，其中该顶盖层的一厚度为2纳米到10纳米。

9.如权利要求3所述的半导体元件，其中该半导体层的一底表面接触该阻挡结构。

10.如权利要求4所述的半导体元件，其中该半导体层的一底表面接触该阻挡结构。

11.如权利要求3所述的半导体元件，还包括一栅极层，其中该栅极层相对该半导体层设置。

12.如权利要求4所述的半导体元件，还包括一栅极层，其中该栅极层相对该半导体层设置。

13.一种半导体元件，包括：

一基底；

一第一半导体层，设置于该基底上，其中该第一半导体层由一氧化半导体所形成；

一阻挡结构，设置于该基底与第一半导体层之间，其中该阻挡结构的一尺寸大于该第一半导体层的一尺寸；

一第二半导体层，设置于该阻挡结构与该基底之间，其中该第二半导体层由氢化非晶硅或多晶硅所形成。

14.如权利要求13所述的半导体元件，还包括一隔离层，其中该隔离层设置于该阻挡层与该基底之间。

15.如权利要求13所述的半导体元件，其中该阻挡结构由一阻障层以及一顶盖层所构成，该阻障层具有一尺寸，该阻障层的该尺寸等于该基底的一尺寸，且该顶盖层至少覆盖该阻障层的两侧。

16.如权利要求14所述的半导体元件，其中该阻挡结构由一阻障层以及一顶盖层所构成，该阻障层具有一尺寸，该阻障层的该尺寸等于该基底的一尺寸，且该顶盖层至少覆盖该阻障层的两侧。

17.如权利要求15所述的半导体元件，其中该阻障层由铜所形成，且该顶盖层由铜及锗的合金所形成。

18.如权利要求16所述的半导体元件，其中该阻障层由铜所形成，且该顶盖层由铜及锗的合金所形成。

19.如权利要求15所述的半导体元件，其中该顶盖层的一厚度为2纳米到10纳米。

20.一种半导体元件的制备方法，包括：

提供一基底；

在该基底上形成一第一半导体层；

在该第一半导体层上形成一第一隔离层；

在该第一隔离层上形成一第一栅极层以及一第二栅极层，其中该第一隔离层相对该第一半导体层设置；

在该第二栅极层上形成一阻挡结构，其中该阻挡结构相对该第二栅极层设置；

在该第二栅极层上形成一第二隔离层；

在该第二隔离层上形成一第二半导体层，其中该阻挡结构的一尺寸大于该第二半导体层的一尺寸。