[发明专利]半导体结构的形成方法、晶体管

说明书

一种半导体结构的形成方法、晶体管，形成方法包括：提供基底，包括第一器件区和第二器件区，基底上形成横跨第一器件区和第二器件区的栅极结构；在第一器件区的栅极结构侧壁形成第一侧墙，在形成第一侧墙的过程中形成覆盖第二器件区的第一侧墙材料层，形成所述第一源漏掺杂层的步骤包括形成第一种子层；第一器件区的栅极结构和第一侧墙两侧的基底中形成第一源漏掺杂层；之后，去除至少部分厚度的第一侧墙材料层和至少部分厚度的第一侧墙；之后，在第二器件区的栅极结构和第二侧墙两侧的基底中形成第二源漏掺杂层，形成第二源漏掺杂层的步骤包括形成第二种子层。所述方法提高了半导体结构的性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法、晶体管。

背景技术

在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，为了适应更小的特征尺寸，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)的沟道长度也相应不断缩短。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，因此栅极结构对沟道的控制能力随之变差，栅极电压夹断(pinch off)沟道的难度也越来越大，使得亚阈值漏电(subthreshold leakage)现象，即所谓的短沟道效应(short-channel effects，SCE)更容易发生。

因此，为了更好的适应特征尺寸的减小，半导体工艺逐渐开始从平面MOSFET向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET中，栅极结构至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，与平面MOSFET相比，栅极结构对沟道的控制能力更强，能够很好的抑制短沟道效应；栅极结构也从原来的多晶硅栅极结构向金属栅极结构转变，金属栅极结构中的功函数层能够调整半导体结构的阈值电压。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法、晶体管，提升半导体结构的性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一器件区和第二器件区，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构横跨所述第一器件区和第二器件区，第一器件区和第二器件区的所述栅极结构的顶部表面具有栅掩模层；在所述第一器件区的栅极结构侧壁形成第一侧墙，在形成第一侧墙的过程中形成覆盖所述第二器件区的第一侧墙材料层；在第一器件区的所述栅极结构和第一侧墙两侧的所述基底中分别形成第一源漏掺杂层，形成所述第一源漏掺杂层的步骤包括形成第一种子层；形成所述第一源漏掺杂层后，刻蚀去除至少部分厚度的所述第一侧墙材料层和至少部分厚度的第一侧墙；刻蚀去除至少部分厚度的所述第一侧墙材料层和至少部分厚度的第一侧墙后，在第二器件区的所述栅极结构的侧壁形成第二侧墙，在形成第二侧墙的过程中形成覆盖所述第一器件区的第二侧墙材料层；在第二器件区的所述栅极结构和第二侧墙两侧的所述基底中分别形成第二源漏掺杂层，形成第二源漏掺杂层的步骤包括形成第二种子层。

相应的，本发明实施例还提供一种晶体管，包括采用上述方法形成的半导体结构。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：