[发明专利]复合式基板及其制造方法

权利要求书

1.一种复合式基板，其特征在于，该复合式基板包括：

基板，其上表面包括多个纳米图案化凹陷，该些纳米图案化凹陷彼此分离；以及

氮化铝层，配置于该基板的该上表面上，其中该氮化铝层的膜厚小于3.5微米，且该氮化铝层的缺陷密度小于或等于5×10⁹/cm²，

其中，该氮化铝层包括第一氮化铝层以及位于该第一氮化铝层上的第二氮化铝层，该第一氮化铝层的最大膜厚大于该多个纳米图案化凹陷的深度，且该第二氮化铝层中掺杂有硅。

2.如权利要求1所述的复合式基板，其中该氮化铝层的背对该基板的上表面的方均根粗糙度小于3纳米。

3.如权利要求1所述的复合式基板，其中该氮化铝层的(002)X射线回摆曲线的半高宽小于150角秒。

4.如权利要求1所述的复合式基板，其中该氮化铝层的(102)X射线回摆曲线的半高宽小于350角秒。

5.如权利要求1所述的复合式基板，其中该些纳米图案化凹陷的深度是落在150纳米至1.5微米的范围内。

6.如权利要求1所述的复合式基板，其中该些纳米图案化凹陷的宽度是落在200纳米至1.5微米的范围内。

7.如权利要求1所述的复合式基板，其中该些纳米图案化凹陷在该基板的该上表面上呈周期性排列。

8.如权利要求1所述的复合式基板，其中该氮化铝层中具有多个孔洞，每一孔洞在平行于该基板的横向与垂直于该基板的纵向的至少一方向上的尺寸小于50纳米。

9.如权利要求1所述的复合式基板，其中该第二氮化铝层中的硅的掺杂浓度大于2×10¹⁷/cm³并且小于5×10¹⁹/cm³。

10.如权利要求1所述的复合式基板，其中该些纳米图案化凹陷的侧壁呈倒角锥形。

11.如权利要求10所述的复合式基板，其中至少三条交界线交会于该倒角锥形的最底部的顶点。

12.一种复合式基板的制造方法，包括：

制备基板，该基板的上表面包括多个纳米图案化凹陷，该些纳米图案化凹陷彼此分离；

在该基板的该上表面上形成第一氮化铝层；

在该第一氮化铝层上形成平坦化层；

逐渐移除该平坦化层的材料，其中当逐渐移除该平坦化层的材料至该平坦化层的底部时，也会同时逐渐移除部分的该第一氮化铝层，以使该第一氮化铝层平坦化；以及

在已平坦化的该第一氮化铝层上形成第二氮化铝层，其中该第二氮化铝层的背对该基板的上表面的方均根粗糙度小于3纳米。

13.如权利要求12所述的复合式基板的制造方法，还包括：

在逐渐移除该平坦化层的材料之后，对已平坦化的该第一氮化铝层作退火处理。

14.如权利要求12所述的复合式基板的制造方法，其中该平坦化层的材料包括聚合物或旋涂式玻璃。

15.如权利要求12所述的复合式基板的制造方法，其中逐渐移除该平坦化层的材料的方法为干蚀刻或机械研磨。

16.如权利要求12所述的复合式基板的制造方法，其中该第二氮化铝层中掺杂有硅，且该第二氮化铝层中的硅的掺杂浓度大于2×10¹⁷/cm³并且小于5×10¹⁹/cm³。