[发明专利]基于形状记忆聚合物的三维天线制造方法及三维天线

权利要求书

1.一种基于形状记忆聚合物的三维天线制造方法，所述三维天线包括功能层(14)和形状记忆聚合物层(13)，当所述三维天线处于使用状态时，所述功能层(14)具有三维结构(142)，所述制造方法包括以下步骤：

形状记忆聚合物层(13)制备步骤，其包括：

加热形状记忆聚合物薄膜至其塑化温度(T_p)以上，并塑造所述形状记忆聚合物薄膜以形成具有中间部分相对于边缘部分拱起的三维的受塑造的初始形状(B)的形状记忆聚合物层(13)；以及

使所述形状记忆聚合物薄膜处于其玻璃化温度(T_g)以上，并塑造所述形状记忆聚合物薄膜以形成具有二维的临时形状(C)的所述形状记忆聚合物层(13)，

功能层(14)制备步骤：制备所述功能层(14)的二维结构(141)，

结合步骤：将具有所述二维结构(141)的所述功能层(14)与具有所述临时形状(C)的所述形状记忆聚合物层(13)结合，

回复步骤：使结合有所述二维结构(141)的所述功能层(14)的所述形状记忆聚合物层(13)处于所述玻璃化温度(T_g)以上，所述形状记忆聚合物层(13)在变化至所述受塑造的初始形状(B)的过程中带动所述二维结构(141)变形成所述三维结构(142)；

在所述结合步骤之后、所述回复步骤之前进行以下步骤：将具有所述二维结构(141)的所述功能层(14)和所述形状记忆聚合物层(13)形成的整体直接或间接地与所述三维天线的接地层(11)结合；

所述形状记忆聚合物层(13)和所述功能层(14)相对于所述接地层(11)变形；

所述三维结构(142)为三维螺旋线状，所述二维结构(141)为二维螺旋线状。

2.根据权利要求1所述的基于形状记忆聚合物的三维天线制造方法，其特征在于，在所述形状记忆聚合物层(13)制备步骤中，

在所述形状记忆聚合物层(13)具有所述受塑造的初始形状(B)之后，将所述形状记忆聚合物层(13)降至室温；和/或

在所述形状记忆聚合物层(13)具有所述临时形状(C)之后，将所述形状记忆聚合物层(13)降至室温；和/或

在所述形状记忆聚合物层(13)带动具有所述二维结构(141)的所述功能层(14)变成所述三维结构(142)之后，将所述形状记忆聚合物层(13)降至室温。

3.根据权利要求1所述的基于形状记忆聚合物的三维天线制造方法，其特征在于，具有所述临时形状(C)的所述形状记忆聚合物层(13)为长条片状或十字片状，或者沿周向具有均匀间隔开的多个缺失部分的盘状，或者二维螺旋线状。

4.根据权利要求1所述的基于形状记忆聚合物的三维天线制造方法，其特征在于，在所述结合步骤中，通过转印工艺将具有所述二维结构(141)的所述功能层(14)与具有所述临时形状(C)的所述形状记忆聚合物层(13)结合。

5.根据权利要求4所述的基于形状记忆聚合物的三维天线制造方法，其特征在于，在具有所述二维结构(141)的所述功能层(14)与具有所述临时形状(C)的所述形状记忆聚合物层(13)之间施加粘接层，所述粘接层粘接所述功能层(14)与所述形状记忆聚合物层(13)。

6.根据权利要求1所述的基于形状记忆聚合物的三维天线制造方法，其特征在于，具有所述二维结构(141)的所述功能层(14)和所述形状记忆聚合物层(13)形成的所述整体依次与所述三维天线的介质层(12)和所述接地层(11)结合，所述形状记忆聚合物层(13)位于所述功能层(14)与所述介质层(12)之间。

7.根据权利要求1所述的基于形状记忆聚合物的三维天线制造方法，其特征在于，所述形状记忆聚合物包括聚氨酯体系，或者含有DA键。

8.根据权利要求1所述的基于形状记忆聚合物的三维天线制造方法，其特征在于，在所述功能层(14)制备步骤中，通过光刻工艺或者3D打印工艺制备具有所述二维结构(141)的所述功能层(14)。

9.一种基于形状记忆聚合物的三维天线制造方法，所述三维天线包括功能层(14)和形状记忆聚合物层(13)，当所述三维天线处于使用状态时，所述功能层(14)具有三维结构(142)，所述制造方法包括：

提供具有中间部分相对于边缘部分拱起的三维的受塑造的初始形状(B)的形状记忆聚合物层(13)；

使具有所述受塑造的初始形状(B)的所述形状记忆聚合物层(13)转变成具有二维的临时形状(C)的形状记忆聚合物层(13)；

将具有二维结构(141)的功能层(14)与具有所述临时形状(C)的所述形状记忆聚合物层(13)结合；

将具有所述二维结构(141)的所述功能层(14)和所述形状记忆聚合物层(13)形成的整体直接或间接地与所述三维天线的接地层(11)结合；以及

使结合有所述二维结构(141)的所述功能层(14)的所述形状记忆聚合物层(13)变化至具有所述受塑造的初始形状(B)，同时带动具有所述二维结构(141)的所述功能层(14)变形成所述三维结构(142)；

所述形状记忆聚合物层(13)和所述功能层(14)相对于所述接地层(11)变形；

所述三维结构(142)为三维螺旋线状，所述二维结构(141)为二维螺旋线状。