[发明专利]半导体单元结构

权利要求书

1.一种半导体单元结构，其特征在于，包括：

一第一类型主动区域和一第二类型主动区域，该第一类型主动区域和该第二类型主动区域各自在垂直于一第二方向的一第一方向上延伸；

一第一晶体管，该第一晶体管在该第一类型主动区域中的两个主动区域之间具有一第一通道区；

一第二晶体管，该第二晶体管在该第二类型主动区域中的两个主动区域之间具有一第二通道区；

一第三晶体管，该第三晶体管在该第一类型主动区域中的两个主动区域之间具有一第三通道区；

一第四晶体管，该第四晶体管在该第二类型主动区域中的两个主动区域之间具有一第四通道区；

一第一栅极条，该第一栅极条在该第二方向上延伸，在该第一通道区上方与该第一类型主动区域相交，并在该第二通道区上方与该第二类型主动区域相交；

一第二栅极条，该第二栅极条在该第二方向上延伸，在该第三通道区上方与该第一类型主动区域相交，并在该第四通道区上方与该第二类型主动区域相交；

四对导电区段，每个导电区段在该第二方向上延伸，包括：

一第一对导电区段中的每个导电区段，在该第一晶体管的该两个主动区域中的一相应一个上，与该第一类型主动区域相交，该第一对中的一第一导电区段设置为具有一第一电源电压；

一第二对导电区段中的每个导电区段，在该第二晶体管的该两个主动区域中的一相应一个上，与该第二类型主动区域相交，该第二对中的一第二导电区段设置为具有一第二电源电压；

一第三对导电区段中的每个导电区段，在该第三晶体管的该两个主动区域中的一相应一个上，与该第一类型主动区域相交；以及

一第四对导电区段中的每个导电区段，在该第四晶体管的该两个主动区域中的一相应一个上，与该第二类型主动区域相交；以及

多个水平布线，所述多个水平布线在一第一金属层中在该第一方向上延伸，所述多个水平布线中的每个水平布线在一个或多个相应的交叉点上与该四对导电区段中的一个或多个导电区段相交，同时在该一个或多个相应交叉点中的每一个交叉点与该一个或多个导电区段在导电上隔离；

其中该第一栅极条导电连接到该第二导电区段。