[发明专利]半导体装置封装和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置封装，其包括：

半导体裸片，其包括第一表面和与所述第一表面对置的第二表面；

第一导电元件，其安置在所述半导体裸片的所述第二表面上；

第二导电元件，其与所述半导体裸片相邻安置；

金属层，其安置在所述第二导电元件上，且电连接到所述第二导电元件；以及

第一再分布层(RDL)，其安置在所述金属层上且电连接到所述金属层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述金属层的厚度等于或大于1μm。

3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述金属层的侧壁限定凹口。

4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一RDL的侧壁限定凹口。

5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述金属层是所述第一RDL的晶种层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括囊封所述半导体裸片、所述第一导电元件与所述第二导电元件的囊封体，其中所述囊封体具有在上面安置所述金属层的第一表面。

7.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其中

所述囊封体具有与所述第一表面对置的第二表面；

所述第一导电元件具有从所述囊封体的所述第二表面暴露的表面；

所述第二导电元件具有从所述囊封体的所述第二表面暴露的表面；以及

所述第一导电元件的所述表面与所述第二导电元件的所述表面大体上共面。

8.根据权利要求7所述的半导体装置封装，其进一步包括安置在所述囊封体的第二表面上且电连接到所述第一导电元件和所述第二导电元件的第二RDL。

9.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第二导电元件的高度是所述第一导电元件的高度与所述半导体裸片的厚度的总和。

10.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述金属层的厚度在3μm到5μm的范围内。

11.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中在所述金属层与所述第一RDL之间限定间隙。

12.一种半导体装置封装，其包括：

半导体裸片，其包括背侧表面与有源表面；

围绕所述半导体裸片的囊封体，所述囊封体包括与所述半导体裸片的所述背侧表面共面的第一表面，和与所述囊封体的所述第一表面对置的第二表面；以及

金属层，其安置在所述半导体裸片的所述背侧表面与所述囊封体的所述第一表面上。

13.根据权利要求12所述的半导体装置封装，其中所述金属层的厚度大于1μm。

14.根据权利要求13所述的半导体装置封装，其中所述金属层的所述厚度在3μm到5μm的范围内。

15.根据权利要求12所述的半导体装置封装，其进一步包括安置在所述金属层上的再分布层RDL，其中在所述金属层与所述RDL之间限定间隙。

16.一种制造半导体装置封装的方法，其包括：

(a)提供载体；

(b)在所述载体上提供金属层，所述金属层包括第一层和在所述第一层上的第二层；

(c)在所述金属层的所述第二层上安置半导体裸片；

(d)形成覆盖所述半导体裸片与所述金属层的所述第二层的囊封体；以及

(e)移除所述载体和所述金属层的所述第一层。

17.根据权利要求16所述的方法，其在操作(e)之前进一步包括在所述半导体裸片的有源表面上形成第一导电元件。