[发明专利]声学谐振器封装结构

权利要求书

1.一种声学谐振器封装结构，其特征在于，包括：

基板，设置有外围焊盘；

声学谐振器，设置在所述基板上，所述声学谐振器包括衬底和多层结构；所述多层结构形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；

盖帽，设有外围焊盘密封件，所述外围焊盘密封件与所述外围焊盘连接，使所述盖帽与所述基板之间形成一个密封空间；

材料层区域，设置在所述密封空间内所述盖帽的第一盖帽表面上；以及

电子电路，形成于所述材料层区域上。

2.如权利要求1所述的声学谐振器封装结构，其特征在于：所述下半腔体由底壁和第一侧壁围成，所述底壁整体与所述衬底表面平行，所述第一侧壁为由所述底壁边缘延伸至所述衬底上表面的第一圆滑曲面。

3.如权利要求2所述的声学谐振器封装结构，其特征在于：所述第一圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第一曲面和第二曲面，所述第一曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述底壁所在的平面之上；所述第二曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之下。

4.如权利要求1所述的声学谐振器封装结构，其特征在于：所述上半腔体由所述多层结构的下侧面围成，所述多层结构与所述上半腔体对应的部分包括顶壁和第二侧壁围成，所述第二侧壁为由所述顶壁边缘延伸至所述衬底上表面的第二圆滑曲面。

5.如权利要求4所述的声学谐振器封装结构，其特征在于：所述第二圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第三曲面和第四曲面，所述第三曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述顶壁所在的平面之下；所述第四曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之上。

6.如权利要求1所述的声学谐振器封装结构，其特征在于：所述电子电路与所述声学谐振器电连接。

7.如权利要求1所述的声学谐振器封装结构，其特征在于：所述基板还设置有第一焊盘，且所述外围焊盘围绕所述第一焊盘。

8.如权利要求7所述的声学谐振器封装结构，其特征在于：所述盖帽还设有焊盘密封件，所述焊盘密封件键合在所述第一焊盘周边。

9.如权利要求7所述的声学谐振器封装结构，其特征在于：所述盖帽上设有通孔，所述通孔位于所述第一焊盘上方，为连接到第一焊盘的电气连接提供通路。

10.如权利要求7所述的声学谐振器封装结构，其特征在于：所述基板上设有通孔，所述通孔位于所述第一焊盘下方，为连接到第一焊盘的电气连接提供通路。

11.如权利要求7所述的声学谐振器封装结构，其特征在于：所述材料层区域与所述焊盘密封件电隔离。

12.如权利要求7所述的声学谐振器封装结构，其特征在于：所述基板上设有第二焊盘，所述盖帽上设有与所述第二焊盘连接的下拉接触柱。

13.如权利要求1所述的声学谐振器封装结构，其特征在于：所述材料层区域由比所述盖帽电阻率低的材料组成。

14.如权利要求1所述的声学谐振器封装结构，其特征在于：所述基板包括与所述盖帽的第一表面相对设置的第一基板表面，所述第一基板表面至少包括一个与所述声学谐振器相对设置的凹陷区域。

15.如权利要求1至14任一项所述的声学谐振器封装结构，其特征在于：所述电子电路直接对置于所述声学谐振器的对面。