[发明专利]振动片、振子、振荡器、电子设备和移动体

说明书

振动片、振子、振荡器、电子设备和移动体。所述振动片具有：基部；以及从所述基部沿第1方向延伸并沿与所述第1方向垂直的第2方向排列的多个振动臂，所述振动臂具有设置在沿所述第1方向以及所述第2方向的第1面上的激励电极，所述激励电极具有：配置在所述第1面侧的第1电极；配置在所述第1电极的与所述第1面侧相反的一侧的第2电极；以及配置在所述第1电极与所述第2电极之间的压电膜，所述压电膜是在晶界中含有Cu的氮化铝膜，所述第2电极由含有TiN的材料形成。

本申请是申请日为2014年7月21日、申请号为201410347246.6、发明名称为“压电膜制造方法、振动片、振子、振荡器、设备和移动体”、申请人为精工爱普生株式会社的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及振动片、振子、振荡器、电子设备和移动体。

背景技术

以往，作为振动片，公知有如下结构的压电薄膜谐振器(以下称为振动片)：其具有设置在基板上的下部电极、设置在下部电极上的压电膜、以及设置在压电膜上且具有隔着压电膜而与下部电极相对的区域的上部电极(例如参照专利文献1)。

上述振动片在压电膜中使用氮化铝(以下称为AlN)。该压电膜是在N₂(氮)气体和Ar(氩)气体的混合气氛中，使用Al(铝)作为靶材料(成膜材料)，通过溅射而成膜(形成)。

专利文献1：日本特开2013-34130号公报

但是，由于上述压电膜使用纯铝作为成膜材料，所以，在存在于成膜后的AlN的晶界中的Al中，有时由于AlN成膜后的上部电极的成膜工艺等而产生内部应力。

由此，上述压电膜可能发生在Al中产生空隙的应力迁移。

其结果，在上述压电膜中，机电耦合系数劣化，由此，阻抗上升，作为压电膜的功能劣化，并且，由于应力迁移的加剧(空隙的扩散等)，可靠性(特别是长期可靠性)可能降低。

由此，在具有上述压电膜的上述振动片中，有可能CI(晶体阻抗)值增大，振动特性劣化，并且，可靠性降低。

发明内容

本发明是为了解决上述课题的至少一部分而完成的，能够作为以下方式或应用例而实现。

[应用例1]本应用例的压电膜制造方法的特征在于，所述压电膜制造方法包括以下工序：在N₂气体和Ar气体的混合气氛中，将Al-Cu合金作为成膜材料，使用溅射法形成压电膜。

由此，压电膜制造方法包括以下工序：在N₂气体和Ar气体的混合气氛中，将Al-Cu合金作为成膜材料(靶材料)，使用溅射法形成压电膜。

由此，在压电膜制造方法中，由于使用Al-Cu合金作为形成压电膜的成膜材料，所以，在使用溅射法形成的压电膜(具体而言为AlN膜)的晶界的Al中，Cu分散地存在(换言之，生成金属间化合物(Al₃Cu))。

由此，在压电膜制造方法中，由于抑制了晶界的Al的扩散，所以能够抑制产生应力迁移。

其结果，在压电膜制造方法中，与现有(例如专利文献1)的制造方法相比，能够提高作为压电膜的功能，并且，能够通过抑制应力迁移来提高压电膜的可靠性。

[应用例2]在上述应用例的压电膜制造方法中，优选所述Al-Cu合金中的Cu的含有率在0.25％质量百分比～1.0％质量百分比的范围内。

由此，在压电膜制造方法中，由于Al-Cu合金中的Cu的含有率在0.25％质量百分比～1.0％质量百分比的范围内，所以，能够抑制晶界的Al的扩散，能够抑制产生应力迁移。

[应用例3]在上述应用例的压电膜制造方法中，优选所述Al-Cu合金中的Cu的含有率在0.4％质量百分比～0.6％质量百分比的范围内。