[发明专利]制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201910964465.1 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN111048419A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 曹学文;方子韦;赵皇麟;宋国梁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造半导体装置的方法，包括：
在设置于一半导体结构上的一界面层上形成一栅极介电层；
在上述栅极介电层上施加一第一含金属前驱物，以形成一第一含金属层；
在上述第一含金属层上施加一第二含金属前驱物，以在上述栅极介电层与上述界面层之间的一界面处形成一第二含金属层；以及
在施加上述第二含金属前驱物后，在上述栅极介电层上形成一金属栅极堆叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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