[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201910964488.2 | 申请日: | 2014-09-19 |
公开(公告)号: | CN110600365B | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 藤原友则;柴山宣之;吉田幸史;柴田哲弥;仲野彰义 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,
具有:
基板保持部,其将基板保持为水平姿势,并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转,
周缘部用处理头,其对被所述基板保持部保持的基板的表面周缘部进行处理;
所述周缘部用处理头具有:
处理液喷嘴,其向所述表面周缘部喷出处理液,
吸引管,其与所述处理液喷嘴建立对应,通过使喷出到所述表面周缘部上的所述处理液中的处理所述表面周缘部所需的部分留下,并吸引除去在处理所述表面周缘部中多余的部分,来控制所述处理液作用于所述基板的区域的内缘位置。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述周缘部用处理头具有一体支撑所述处理液喷嘴和所述吸引管的支撑部。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述周缘部用处理头中,所述吸引管配置在所述处理液喷嘴的附近,并且相比所述处理液喷嘴配置在所述基板的旋转方向的下游侧。
4.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述周缘部用处理头中,所述吸引管配置在所述处理液喷嘴的附近,并且相比所述处理液喷嘴配置在所述基板的旋转方向的上游侧。
5.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述吸引管配置于在所述吸引管的顶端通过开口而形成的吸引口与所述表面周缘部相向的吸引位置的状态下,所述吸引口中的位于所述基板的中心侧的端,比所述表面周缘部中的应使所述处理液作用的区域的内缘位置更靠基板的端面侧。
6.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述吸引管配置于在所述吸引管的顶端通过开口而形成的吸引口与所述表面周缘部相向的吸引位置的状态下,所述吸引口中的位于所述基板的端面侧的端,比所述基板的端面更靠内侧。
7.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述处理液喷嘴向所述基板上的第一位置喷出所述处理液,
所述吸引管从比所述第一位置更靠基板的端面侧的第二位置吸引所述处理液。
8.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述周缘部用处理头具有向所述表面周缘部喷出气体的气体喷嘴。
9.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置具有对所述周缘部用处理头进行控制的控制部,
所述控制部使所述处理液喷嘴向旋转的基板的表面周缘部喷出处理液,并使所述吸引管吸引所述表面周缘部上的多余的所述处理液。
10.一种基板处理方法,其特征在于,包括:
工序a,将基板保持为水平姿势,并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转;
工序b,向旋转的所述基板的表面周缘部喷出处理液;
工序c,与所述工序b并行,通过使喷出到所述表面周缘部上的所述处理液中的处理所述表面周缘部所需的部分留下,并吸引除去在处理所述表面周缘部中多余的部分,来控制所述处理液作用于所述基板的区域的内缘位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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