[发明专利]利用有机硅单体三甲氧基硅烷生产中的废触体制备铜基复合催化剂的方法及用途

权利要求书

1.一种利用有机硅单体三甲氧基硅烷生产中的废触体制备铜基复合催化剂的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

1)将含有机溶剂的废触体浆液，搅拌混合，所述废触体浆液中，有机溶剂与固体物的质量比为0.5～10:1；

2)将步骤1)所述废触体浆液静置沉降后，去除上层清液以及下层的硅粉，分离得到含铜组分；

3)将步骤2)分离得到的含铜组分依次经过干燥和焙烧，所述焙烧之后进行球磨，球磨的珠子与褐色固体物的质量比为1～30:1，所述球磨的时间为10～120min，得到铜基复合催化剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)所述的废触体为直接法工艺制备有机硅单体三甲氧基硅烷产生的固体废渣。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述废触体的粒径为0.05～20μm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)所述的有机溶剂包括甲醇、乙醇、乙二醇、丙醇、丙三醇、苯、甲苯、二甲苯、苯醚或二甲苯基醚中的任意一种或至少两种的组合。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)所述的有机溶剂为甲醇和/或乙醇。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤1)所述的有机溶剂为甲醇。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)所述混合的温度为15～50℃。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中的静置时间为2～96h。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤2)中的静置时间为6～48h。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤2)中的静置时间为12～36h。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)所述干燥的方法为鼓风干燥或真空干燥。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述鼓风干燥的温度为200～400℃。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述鼓风干燥的温度为300～350℃。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述真空干燥的温度为30～220℃。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述真空干燥的温度为180～220℃。

16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)中所述焙烧的气氛为空气或氧气。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，步骤3)中所述焙烧的气氛为空气。

18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述焙烧温度为300～900℃。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述焙烧温度为600～800℃。

20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述焙烧温度为700～800℃。

21.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述焙烧时间为5～300min。

22.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述焙烧时间为5～90min。