[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201910965159.X | 申请日: | 2014-09-19 |
公开(公告)号: | CN110690146B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 藤原友则;柴山宣之;吉田幸史;柴田哲弥;仲野彰义 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;宋晓宝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,
具有:
旋转基座,其以旋转轴为中心在水平面内旋转,
保持部,其在所述旋转基座的上方保持基板,
下表面处理部,其向被所述保持部保持的所述基板的下表面喷出处理液;
所述保持部具有:
多个第一抵接构件,具有相对于水平面倾斜的倾斜侧面,从基板的斜下方在所述倾斜侧面与所述基板抵接,在从所述旋转基座的上表面离开的位置将所述基板保持为水平姿势,
多个第二抵接构件,从基板的侧方与所述基板抵接,在从所述旋转基座的上表面离开的位置将所述基板保持为水平姿势,
切换部,对所述多个第一抵接构件在所述倾斜侧面保持基板的第一保持状态和所述多个第二抵接构件保持基板的第二保持状态进行切换;
在所述第二保持状态下,所述第一抵接构件从基板离开,
在所述第一保持状态下,基板的上表面位于比所述第一抵接构件的上端更高的位置,且所述第二抵接构件从所述基板离开。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
在使所述基板以小于规定的阈值的第一旋转速度旋转的情况下,所述多个第一抵接构件保持所述基板且向所述基板的下表面供给所述处理液,
在使所述基板以所述阈值以上的第二旋转速度旋转的情况下,所述多个第二抵接构件保持所述基板。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第一抵接构件具有从圆锥体与该圆锥体的底面平行地切掉上部而成的形状部分,
所述第一抵接构件在所述圆锥体的倾斜的侧面即所述倾斜侧面与所述基板抵接。
4.如权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述圆锥体的倾斜的侧面与水平面所形成的角度在45°以上。
5.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第一抵接构件的表面具有疏水性。
6.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述切换部通过使所述多个第二抵接构件分别在与所述旋转基座上的基板的周缘接近或分离的方向上移动,来进行所述第一保持状态和所述第二保持状态之间的切换。
7.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
从对所述基板处理装置进行基板的搬入搬出的搬送机械手移载至所述旋转基座上的基板首先被所述多个第一抵接构件保持。
8.一种基板处理方法,其特征在于,
包括:
工序a,使多个第一抵接构件从基板的斜下方与所述基板抵接,并且使多个第二抵接构件从所述基板离开,在从旋转基座的上表面离开的位置将所述基板保持为水平姿势,
工序b,使被所述多个第一抵接构件保持的所述基板以第一旋转速度旋转,并向所述基板的下表面供给处理液,
工序c,在所述工序b之后,使多个第二抵接构件从所述基板的侧方与所述基板抵接,并使所述多个第一抵接构件从所述基板离开,在从所述旋转基座的上表面离开的位置将所述基板保持为水平姿势,
工序d,使被所述多个第二抵接构件保持的所述基板以比第一旋转速度大的第二旋转速度旋转;
被所述多个第一抵接构件保持的基板的上表面位于比所述第一抵接构件的上端更高的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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