[发明专利]一种芯片结构组装方法及芯片结构在审
申请号: | 201910965208.X | 申请日: | 2019-10-11 |
公开(公告)号: | CN110660678A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 龙秀森;刘耿烨 | 申请(专利权)人: | 广州安波通信科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/053 |
代理公司: | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 510700 广东省广州市广州高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片载体 芯片结构 封装壳体 组装 搪锡 锡铅 银焊料 烧结 焊料 功率型芯片 导热系数 摩擦固定 有效解决 空洞率 微组装 散热 熔融 焊接 芯片 | ||
1.一种芯片结构组装方法,其特征在于,包括:
使用锡铅银焊料分别在封装壳体的安装部和芯片载体上搪锡;
将搪锡后的所述芯片载体放于搪锡后的所述安装部上,待所述锡铅银焊料充分熔融后,将所述芯片载体摩擦固定于所述安装部。
2.根据权利要求1所述的芯片结构组装方法,其特征在于,所述锡铅银焊料中锡所占的质量百分数为62%,铅所占的质量百分数为36%,其余为银。
3.根据权利要求1或2所述的芯片结构组装方法,其特征在于,搪锡具体包括:
对待搪锡件和/或用于承载所述锡铅银焊料的基体预热,其中,所述待搪锡件包括所述安装部和所述芯片载体;
在所述待搪锡件的指定表面上覆盖所述锡铅银焊料后刮擦所述指定表面上的所述锡铅银焊料;或将所述基体表面的所述锡铅银焊料以接触摩擦的方式涂布在所述指定表面上。
4.根据权利要求3所述的芯片结构组装方法,其特征在于,所述安装部设置为安装槽,在所述安装槽内搪锡具体包括:
将所述封装壳体预热;
在所述安装槽内刷涂所述锡铅银焊料;
刮擦所述安装槽表面的所述锡铅银焊料。
5.根据权利要求3所述的芯片结构组装方法,其特征在于,在所述芯片载体上搪锡具体包括:
将所述基体预热;
在所述基体表面刷涂所述锡铅银焊料;
刮擦所述基体表面的所述锡铅银焊料;
将所述芯片载体的组装面与所述基体表面的所述锡铅银焊料接触,以摩擦的形式在所述芯片载体的所述组装面镀上一层所述锡铅银焊料;
隔空冷却所述芯片载体待用。
6.根据权利要求3所述的芯片结构组装方法,其特征在于,所述预热的温度设置为190℃-200℃。
7.根据权利要求5所述的芯片结构组装方法,其特征在于,所述芯片载体搪锡的步骤中,所述基体为镀银铜块。
8.根据权利要求1或2所述的芯片结构组装方法,其特征在于,所述芯片载体由载体共晶于裸芯片制成。
9.根据权利要求1或2所述的芯片结构组装方法,其特征在于,所述芯片结构组装方法的步骤均在显微镜下进行。
10.一种芯片结构,其特征在于,使用如权利要求1-9中任一项所述的芯片结构组装方法组装。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造