[发明专利]一种低烧结温度低介微波介质陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种低烧结温度低介微波介质陶瓷，其特征在于，

该微波介质陶瓷是由主料和辅料复合而成，主料的组成表达式为(1-x-y)MgSiO₃-xMg₂TiO₄-ySrSiTiO₅，其中，x，y，(1-x-y)均代表摩尔比，x＝0.3，0＜y≤0.035，所述辅料为CuO-ZnO，其中，主料的质量分数为a，辅料的质量分数为b，0≤b≤1％，a+b＝1。

2.根据权利要求1所述的低烧结温度低介微波介质陶瓷，其特征在于，CuO-ZnO辅料是通过CuO和ZnO按照1:1的摩尔比配制而成。

3.一种低烧结温度低介微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)制备该微波介质陶瓷的主料：先将MgO、SiO₂、TiO₂、SrCO₃按照组成表达式(1-x-y)MgSiO₃-xMg₂TiO₄-ySrSiTiO₅中的对应元素的摩尔比配料，将MgO、SiO₂、TiO₂、SrCO₃混合后充分球磨，球磨后烘干、过筛，再放入刚玉坩埚中进行焙烧，得到主料，该组成表达式(1-x-y)MgSiO₃-xMg₂TiO₄-ySrSiTiO₅中，x，y，(1-x-y)均代表摩尔比，x＝0.3，0＜y≤0.035；

(2)制备低烧结温度低介微波介质陶瓷：按照质量百分数分别称取CuO-ZnO辅料和步骤(1)制备的主料，将主料和辅料进行混合，然后充分球磨，再经过烘干、造粒和过筛，将过筛后的混合粉料压制成型，最后烧结得到该低介微波介质陶瓷；其中，主料的质量分数为a，辅料的质量分数为b，0≤b≤1％，a+b＝1。

4.根据权利要求3所述的一种低烧结温度低介微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的焙烧过程是在950～1050℃下焙烧保温3～5h。

5.根据权利要求3所述的一种低烧结温度低介微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，CuO-ZnO辅料的制备过程为：将ZnO和CuO混合充分后球磨，球磨后烘干、过筛，再放入刚玉坩埚中进行焙烧，得到CuO-ZnO辅料。

6.根据权利要求5所述的一种低烧结温度低介微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，制备CuO-ZnO辅料时，CuO和ZnO的摩尔比为1:1。

7.根据权利要求5所述的一种低烧结温度低介微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，制备CuO-ZnO辅料时的焙烧过程是在600～650℃下焙烧保温3～5h。

8.根据权利要求3所述的一种低烧结温度低介微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，过筛后的颗粒被压制成直径为10mm，高度为6mm的圆柱体。

9.根据权利要求3所述的一种低烧结温度低介微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的烧结过程是在1100～1250℃下烧结4小时。

10.根据权利要求3所述的一种低烧结温度低介微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的烧结过程是在1100～1200℃下烧结4小时。