[发明专利]一种高效背钝化晶硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种高效背钝化晶硅太阳能电池，包括由上至下依次相连的Ag栅指电级(1)、SiNx钝化减反射层(2)、N+层(3)、P型硅(4)、背面钝化层(5)、Al栅指电级(6)，所述Ag栅指电级(1)依次贯穿SiNx钝化减反射层(2)、N+层(3)通过N++层(7)与P型硅(4)相连，所述Al栅指电级(6)贯穿背面钝化层(5)通过P+层(8)与P型硅(4)相连，其特征在于：所述背面钝化层(5)为钝化减反叠层结构，所述钝化减反叠层结构包括由上至下依次设置的SiO₂钝化层(51)、AlOx钝化层(52)、SiNx减反射层(53)、SiOxNy减反射层(54)。

2.根据权利要求1所述的一种高效背钝化晶硅太阳能电池，其特征在于：所述SiO₂钝化层(51)的厚度为0.3-3nm。

3.根据权利要求1所述的一种高效背钝化晶硅太阳能电池，其特征在于：所述AlOx钝化层(52)的厚度为5-15nm。

4.根据权利要求1所述的一种高效背钝化晶硅太阳能电池，其特征在于：所述SiNx减反射层(53)的厚度为70-110nm，折射率为1.9-2.2，结构为单层或双层或三层。

5.根据权利要求1所述的一种高效背钝化晶硅太阳能电池，其特征在于：所述SiOxNy减反射层(54)厚度为70-110nm，折射率为1.8-2.0。

6.一种高效背钝化晶硅太阳能电池及其制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(a)采用碱制绒的方式，将P型硅片于槽中去除损伤层并制绒，形成0.5μm-5μm高的金字塔绒面；

(b)采用三氯氧磷高温扩散，反应温度为750-850℃，反应时间为30-60min，在P型硅片表面形成N+层；

(c)采用激光掺杂形成N++层；

(d)采用湿法刻蚀工艺，搭配HNO₃/HF混合溶液，去除背面的N+层，并对背面进行抛光处理；

(e)高温退火，反应温度为750-850℃；

(f)采用原子层沉积或等离子增强化学气相沉积法在P型硅片背面依序沉积SiO₂钝化层、AlOx钝化层、SiNx减反射层、SiOxNy减反射层薄膜，形成钝化减反叠层结构；

(g)采用等离子增强化学气相沉积法，在P型硅片正面形成SiNx钝化减反射层；

(h)采用激光刻蚀，在P型硅片背面选择性刻蚀掉部分钝化层，让硅层裸露；

(i)采用丝网印刷法，依照网版图形设计，在P型硅片正面印刷银浆/背面印刷铝浆，经过高温烧结后，形成欧姆接触，制作得到高效背钝化晶硅太阳能电池。

7.根据权利要求6所述的一种高效背钝化晶硅太阳能电池及其制备方法，其特征在于：沉积所述二氧化硅(SiO₂)层采用O₂或N₂O气体，反应温度为600-850℃；沉积所述氧化铝(AlOx)层采用TMA及O₂或N₂O的混合气体，反应温度为200-350℃；沉积所述氮化硅(SiNx)层采用SiH₄和NH₃的混合气体，反应温度为300-550℃；沉积所述氮氧化硅(SiOxNy)层采用SiH₄和NH₃以及N2O的混合气体，反应温度为300-550℃。