[发明专利]非晶二氧化锆/非晶铜合金层状结构及其制备方法

权利要求书

1.非晶二氧化锆/非晶铜合金层状结构，其特征是在富Zr的非晶Cu-Zr二元合金表面上，生长厚度5nm～17nm的非晶ZrO₂层表层，以及厚度8nm～28nm非晶Cu合金层下层；在非晶Cu合金层中分布有直径为10nm～20nm富Cu颗粒，其状态为非晶或晶体；Cu-Zr二元合金为Cu_33at.％Zr_67at.％合金时，富Cu颗粒为非晶富Cu颗粒；Cu-Zr二元合金为Cu_50at.％Zr_50at.％合金时，富Cu颗粒为晶体Cu₁₀Zr₇和Cu₈Zr₃颗粒；

所述非晶二氧化锆/非晶铜合金层状结构的制备方法，包括以下步骤：

1)采用磁控共溅射技术制备非晶Cu-Zr薄膜合金；

2)将非晶Cu-Zr薄膜合金放入真空密闭环境并通入纯氧，使样品在恒压密闭条件下放入恒温的沙浴流化床中进行氧化，然后取出样品并进行冷却；

所述步骤2)中，保持恒压环境，通入相应氧化温度下1bar高纯度氧气；

所述步骤2)中的恒温条件的温度区间选择为：200～250℃；

所述步骤2)中的氧化时间的区间选择为：1～10h。

2.一种权利要求1所述的非晶二氧化锆/非晶铜合金层状结构的制备方法，包括以下步骤：

1)采用磁控共溅射技术制备非晶Cu-Zr薄膜合金；

2)将非晶Cu-Zr薄膜合金放入真空密闭环境并通入纯氧，使样品在恒压密闭条件下放入恒温的沙浴流化床中进行氧化，然后取出样品并进行冷却；

所述步骤2)中，保持恒压环境，通入相应氧化温度下1bar高纯度氧气；

所述步骤2)中的恒温条件的温度区间选择为：200～250℃；

所述步骤2)中的氧化时间的区间选择为：1～10h。

3.如权利要求2所述的方法，其特征是所述步骤1)中磁控共溅射技术为：采用超高真空设备，对纯Zr和纯Cu进行共溅射，最后制备出非晶Cu-Zr薄膜合金。