[发明专利]单环洼槽型曲面阴极三背弧层门控结构的发光背光源

说明书

本发明公开了一种单环洼槽型曲面阴极三背弧层门控结构的发光背光源，包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件；所述的真空封闭体由前透硬玻璃板、后透硬玻璃板和玻璃窄框条构成；在前透硬玻璃板上设有阳极底膜传电层、阳极弯连银电层和薄发光层，所述的阳极底膜传电层和阳极弯连银电层相连，所述的薄发光层制作在阳极底膜传电层上面；在后透硬玻璃板上设有单环洼槽型曲面阴极三背弧层门控结构。具有制作工艺可靠、发光背光源的发光灰度可调节性能良好的优点。

技术领域

本发明属于平面显示技术领域、真空科学与技术领域、半导体科学与技术领域、微电子科学与技术领域、纳米科学与技术领域、集成电路科学与技术领域以及光电子科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平面发光背光源的制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平面发光背光源的制作，特别涉及到一种单环洼槽型曲面阴极三背弧层门控结构的发光背光源及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管具有小的尖端曲率半径，同时还拥有良好的导电性能及极佳的机械强度，更是一种适宜的阴极制作材料，已被广泛应用于各类真空元器件中。对于碳纳米管阴极的制作，在有关碳纳米管的制备工艺、用于改善其电子发射特性的碳纳米管后处理工艺、以及碳纳米管浆料的配比工艺等方面，众多科研人员都进行了大量研究。利用碳纳米管作为阴极材料的发光背光源，是一种具有良好图像显示性能的设备。

然而，在三极结构的发光背光源中，还存在一些技术困难需要解决。诸如，一方面，门极电压对碳纳米管层电子发射的调控性能比较差。较小的门极电压根本就不能令碳纳米管阴极进行电子发射，而较大的门极电压则又容易使得碳纳米管阴极的电子发射变得易于失控；同时，碳纳米管阴极的电子发射数量，并不是严格随着门极电压的变化而变化，这些都是门极电压对碳纳米管阴极失去良好控制功能的表现。第二方面，碳纳米管阴极的电子发射效率比较低。没有足够数量的碳纳米管同时进行电子发射，是无法形成发光背光源的大阴极电流的。然而在碳纳米管阴极中，有的碳纳米管根本就不发射电子，失去了其作为阴极的本质功能；有的碳纳米管尽管能够发射电子，但是其发射电子的数量过小，也不足以其充当电子源的作用。第三方面，碳纳米管层的面积很小。也就是说，碳纳米管的数量过少。这些技术困难还需要仔细研究并采取相应有效措施。

发明内容

发明目的：本发明的目的在于克服上述发光背光源中存在的缺陷和不足而提供一种制作工艺可靠的、发光背光源的发光灰度可调节性能良好的单环洼槽型曲面阴极三背弧层门控结构的发光背光源及其制作工艺。

技术方案：本发明的单环洼槽型曲面阴极三背弧层门控结构的发光背光源，包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件；所述的真空封闭体由前透硬玻璃板、后透硬玻璃板和玻璃窄框条构成；在前透硬玻璃板上设有阳极底膜传电层、阳极弯连银电层和薄发光层，所述的阳极底膜传电层和阳极弯连银电层相连，所述的薄发光层制作在阳极底膜传电层上面；在后透硬玻璃板上设有单环洼槽型曲面阴极三背弧层门控结构。