[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

IGBT区域，其从具有第1导电型的漂移层的半导体衬底的正面延伸到背面；以及

二极管区域，其从所述半导体衬底的所述正面延伸到所述背面，与所述IGBT区域相邻，

所述IGBT区域具备：第2导电型的基极层，其形成于所述正面侧；以及第1沟槽部，其贯通所述基极层而设置，

所述第1沟槽部具有：第1栅极电极，其下端与所述基极层的下端相比位于上方；第2栅极电极，其设置于所述第1栅极电极的正下方；以及绝缘膜，其设置于所述第1栅极电极的侧面、所述第1栅极电极和所述第2栅极电极之间以及与所述第2栅极电极接触的位置，

所述二极管区域具备：第2导电型的阳极层，其形成于所述正面侧；以及第2沟槽部，其形成于所述正面侧，具有哑栅极电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1栅极电极的下端与所述基极层的下端相比形成于以小于0.3μm的量更靠上方处。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，具备：

第1电极焊盘，其与所述第1栅极电极电连接，设置于所述半导体衬底的上方；以及

第2电极焊盘，其与所述第2栅极电极电连接，设置于所述半导体衬底的上方。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2栅极电极的上端与所述基极层的下端相比位于上方。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述哑栅极电极具有第1哑栅极电极以及设置于所述第1哑栅极电极的正下方的第2哑栅极电极，

所述第2沟槽部具备二极管区域绝缘膜，该二极管区域绝缘膜设置于所述第1哑栅极电极的侧面、所述第1哑栅极电极和所述第2哑栅极电极之间以及与所述第2哑栅极电极接触的位置。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述基极层的下方具备杂质浓度比所述半导体衬底的杂质浓度高的第1导电型的载流子积蓄层。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第1栅极电极和所述第2栅极电极之间，所述绝缘膜的膜厚大于或等于0.03μm。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2栅极电极隔着所述绝缘膜而与所述基极层相对。

9.一种半导体装置，其特征在于，具备：

IGBT区域，其从具有第1导电型的漂移层的半导体衬底的正面延伸到背面；以及

二极管区域，其从所述半导体衬底的所述正面延伸到所述背面，与所述IGBT区域相邻，

所述IGBT区域具备：第2导电型的基极层，其形成于所述正面侧；以及第1沟槽部，其贯通所述基极层而设置，

所述第1沟槽部具有：第1栅极电极；第2栅极电极，其设置于所述第1栅极电极的正下方；以及绝缘膜，其设置于所述第1栅极电极的侧面、所述第1栅极电极和所述第2栅极电极之间以及与所述第2栅极电极接触的位置，所述第2栅极电极的上端与所述基极层的下端相比位于上方。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述二极管区域具备：第2导电型的阳极层，其形成于所述正面侧；以及第2沟槽部，其形成于所述正面侧，具有哑栅极电极。