[发明专利]嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910968164.6 申请日: 2019-10-12
公开(公告)号: CN110600438A 公开(公告)日: 2019-12-20
发明(设计)人: 林挺宇;杜毅嵩 申请(专利权)人: 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L23/31;H01L25/16;H01L23/373;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 44502 广州鼎贤知识产权代理有限公司 代理人: 刘莉梅
地址: 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 被动元件 安装孔 塑封层 芯片 扇出型封装 填充树脂 重布线层 多芯片 复合层 嵌入式 侧面 无机物颗粒 封装结构 金属凸块 散热效率 芯片封装 变形的 电连接 焊盘区 微系统 侧壁 翘曲 填充 焊接 对抗 制作
【权利要求书】:

1.一种嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构,其特征在于,包括:

塑封层,沿其厚度方向开设有安装孔,所述塑封层沿其厚度方向具有第一侧面和第二侧面;

若干第一芯片及若干第一被动元件,位于所述安装孔内,所述第一芯片和所述第一被动元件的正面朝向所述第一侧面,且所述第一芯片、所述第一被动元件与所述安装孔的侧壁之间填充有复合层,所述复合层包括填充树脂和均匀分布于所述填充树脂中的无机物颗粒;

重布线层,位于所述塑封层的第一侧面,并与所述第一芯片和所述第一被动元件电连接,所述重布线层具有焊盘区和非焊盘区;

金属凸块,与所述重布线层的焊盘区焊接。

2.根据权利要求1所述的嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构,其特征在于,所述填充树脂为环氧树脂;所述塑封层为EMC。

3.根据权利要求1所述的嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构,其特征在于,还包括:

介电层,位于所述塑封层的第一侧面,且所述介电层上开设有使所述第一芯片和所述第一被动元件的电信号连接处外露的通孔;

种子层,覆盖所述介电层和所述通孔的内壁,所述重布线层位于所述种子层上,且所述种子层和所述重布线层具有使部分所述介电层外露的图形化孔;

电连接柱,填充于所述通孔内并连接所述种子层和所述重布线层。

4.根据权利要求3所述的嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构,其特征在于,还包括阻焊层,所述阻焊层覆盖所述图形化孔和所述重布线层的非焊盘区。

5.根据权利要求4所述的嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构,其特征在于,还包括位于所述阻焊层远离所述塑封层一侧的若干第二芯片或第二被动元件,所述金属凸块包括第一金属凸块和尺寸小于所述第一金属凸块的第二金属凸块,所述第二芯片或第二被动元件与所述第二金属凸块焊接。

6.一种嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

S10、采用塑封料制作塑封层,并在所述塑封层上开设安装孔;

S20、提供若干第一芯片和若干第一被动元件,将所述第一芯片和所述第一被动元件置于所述安装孔内,并采用由填充树脂和无机物颗粒复合而成的复合材料对所述第一芯片、所述第一被动元件和所述安装孔之间的间隙进行填充;

S30、制作重布线层,将所述第一芯片和所述第一被动元件的电信号引出与所述重布线层电连接;

S40、提供金属凸块,将所述金属凸块与所述重布线层的焊盘区焊接。

7.根据权利要求6所述的嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构的制作方法,其特征在于,步骤S10具体包括以下步骤:

S10a、提供载板和临时键合胶,将所述临时键合胶贴于所述载板沿其厚度方向的一侧面;

S10b、提供塑封料,在所述载板贴有所述临时键合胶的一侧面进行塑封,塑封料固化后形成所述塑封层;

S10c、在所述塑封层沿其厚度方向开设安装孔。

8.根据权利要求7所述的嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封装结构的制作方法,其特征在于,步骤S20具体包括以下步骤:

S20a、提供若干第一芯片和若干第一被动元件,将所述第一芯片和所述第一被动元件正面贴于所述安装孔内的临时键合胶上;

S20b、提供由环氧树脂和无机物颗粒复合而成的复合材料,将所述复合材料填充于所述第一芯片、所述第一被动元件和所述安装孔之间的间隙中,复合材料固化后形成复合层;

S20c、拆除所述载板、去除所述临时键合胶。

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