[发明专利]一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘环

权利要求书

1.一种等离子体刻蚀装置中的边缘环，其特征在于，所述边缘环位于静电吸盘的外围，所述静电吸盘用于固定其上的待处理晶圆，包括：

聚焦环，具有内侧部分和外侧部分，所述内侧部分位于所述待处理晶圆边缘的下方，所述外侧部分向外超出所述待处理晶圆的覆盖范围，所述外侧部分高于所述内侧部分；

至少覆盖所述聚焦环的外侧部分的保护涂层，所述保护涂层的介电常数从表面至底部逐渐增大。

2.根据权利要求1所述的边缘环，其特征在于，所述边缘环还包括：在所述聚焦环外围的覆盖环，所述覆盖环上形成有保护涂层。

3.根据权利要求2所述的边缘环，其特征在于，所述聚焦环的材料为以下材料的至少一种：石英、氧化铝、氮化铝、单晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化硅、氧化硅；所述覆盖环的材料为以下材料的至少一种：石英、氧化铝、氮化铝、单晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化硅、氧化硅。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的边缘环，其特征在于，所述保护涂层包括混合的第一基体材料和第二基体材料，所述第二基体材料的介电常数高于所述聚焦环的介电常数，在所述保护涂层中，所述第二基体材料的浓度从表面至底部逐渐增大，其中所述第二基体材料浓度小于33％，且从表面到底部的浓度差小于10％。

5.根据权利要求4所述的边缘环，其特征在于，所述第一基体材料与所述聚焦环或所述覆盖环的材料一致。

6.根据权利要求4所述的边缘环，其特征在于，所述第二基体材料包括稀土元素的至少一种，所述稀土元素至少包括镧系元素和钇。

7.根据权利要求6所述的边缘环，其特征在于，所述第二基体材料为氧化钇、氟化钇或氟氧化钇。

8.根据权利要求5-7任意一项所述的边缘环，其特征在于，所述保护涂层通过以下方式形成：

将所述第一基体材料和所述第二基体材料作为蒸发源，利用物理气相沉积的方式形成所述保护涂层，通过调整所述第一基体材料和所述第二基体材料的至少一种的蒸发速率控制所述第二基体材料在保护涂层中的浓度。

9.根据权利要求1-3或5-7任意一项所述的边缘环，其特征在于，所述保护涂层的厚度范围为1nm～2mm。

10.根据权利要求1-3或5-7任意一项所述的边缘环，其特征在于，所述保护涂层的介电常数在所述静电吸盘沿直径方向由内向外逐渐增大。

11.一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，包括：

静电吸盘，用于固定其上的待处理晶圆；

如权利要求1-10任意一项所述的边缘环；

上极板。

12.根据权利要求11所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，还可以包括与等离子体直接接触的其他部件，至少一个所述其他部件上形成有保护涂层，所述其他部件包括：盖板、衬垫、气体分配板、喷淋头、静电吸盘组件、处理套组、挡板、窗口、上盖、下盖环等。

13.根据权利要求12所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述保护涂层包括第一基体材料和第二基体材料，所述第一基体材料为以下材料的至少一种：石英、氧化铝、氮化铝、单晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化硅、氧化硅；所述第二基体材料包括稀土元素的至少一种，所述稀土元素至少包括镧系元素和钇。

14.根据权利要求13所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述第二基体材料为氧化钇、氟化钇或氟氧化钇。