[发明专利]闪存器件及其制造方法

权利要求书

1.一种闪存器件，其特征在于，包括：

一衬底，所述衬底中形成有至少一个有源区，每个所述有源区中形成有至少一个凹槽，每个所述凹槽的两侧分别形成有源区和漏区；以及，

栅极堆叠结构，至少部分形成于所述凹槽中。

2.如权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，至少所述栅极堆叠结构的底部位于所述凹槽中，且所述底部为圆弧形的形状。

3.如权利要求1或2所述的闪存器件，其特征在于，所述凹槽为U形凹槽。

4.如权利要求3所述的闪存器件，其特征在于，所述栅极堆叠结构包括依次覆盖于所述凹槽的内表面的隧穿氧化层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层，至少位于所述凹槽中的所述隧穿氧化层、浮栅层和栅间介质层与所述凹槽对应呈U形。

5.如权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，所述栅极堆叠结构的顶表面不高于所述衬底的顶表面。

6.如权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，还包括：

阱区，形成于所述衬底中，所述有源区位于所述阱区中；以及，

轻掺杂漏区，形成于所述凹槽两侧的所述源区和漏区的底部下方的所述有源区中。

7.如权利要求6所述的闪存器件，其特征在于，所述轻掺杂漏区的底部高于所述凹槽的底部。

8.如权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，还包括：

层间介质层，形成于所述衬底和所述栅极堆叠结构的顶表面上；以及，

导电接触插栓，形成于所述层间介质层中，且所述导电接触插栓与所述源区或所述漏区电接触。

9.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底中形成有至少一个有源区；

刻蚀所述有源区，以形成至少一个凹槽于所述有源区中；

形成至少部分位于所述凹槽中的栅极堆叠结构；以及，

分别形成源区和漏区于所述凹槽两侧的所述有源区中。

10.如权利要求9所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，至少所述栅极堆叠结构的底部位于所述凹槽中，且所述底部为圆弧形的形状。

11.如权利要求9所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述栅极堆叠结构包括隧穿氧化层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层，形成至少部分位于所述凹槽中的所述栅极堆叠结构的步骤包括：

依次覆盖所述隧穿氧化层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层于所述凹槽的内表面上，且所述隧穿氧化层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层还覆盖在所述凹槽的周围的衬底的顶表面上；以及，

采用化学机械研磨工艺研磨所述控制栅层、栅间介质层、浮栅层以及隧穿氧化层至所述衬底的顶表面上，以形成所述栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构的顶表面不高于所述衬底的顶表面；或者，采用光刻和刻蚀工艺，依次刻蚀去除位于所述衬底上的所述控制栅层、栅间介质层、浮栅层以及隧穿氧化层，以形成所述栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构的顶表面高于所述衬底的顶表面。

12.如权利要求9所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在形成所述源区和漏区之前或之后，还形成轻掺杂漏区于所述凹槽两侧的所述有源区中，所述轻掺杂漏区位于所述凹槽两侧的所述源区和漏区的底部下方的所述有源区中。

13.如权利要求12所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述轻掺杂漏区的底部高于所述凹槽的底部。

14.如权利要求9所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，还包括：

形成层间介质层于所述衬底和所述栅极堆叠结构的顶表面上；以及，

形成导电接触插栓于所述层间介质层中，且所述导电接触插栓与所述源区或所述漏区电接触。