[发明专利]用于提高非晶材料无序性的间歇磁控溅射方法

权利要求书

1.一种用于提高非晶材料无序性的间歇磁控溅射方法，其特征在于，包括如下步骤：

将待溅射的基片清洗后，放置在溅射腔体的托盘上；

将待溅射靶材打磨清洗后，放置在所述溅射腔体的直流溅射靶位上；

于设定的真空度、靶基距、靶材溅射功率条件下，在所述溅射腔体中对所述待溅射靶材进行间歇磁控溅射；所述真空度为1×10-4 Pa～4×10-4 Pa；所述靶材溅射功率为40W～80W；

溅射过程中保持基片温度在80℃以下，溅射过程中溅射第一时间，保持溅射环境不变的情况下，停止溅射所述第一时间，再溅射所述第一时间，停止溅射第二时间，然后再溅射所述第一时间，停止溅射第三时间；溅射所述第一时间后，再停止溅射的过程为一个周期，每个周期中停止溅射的时间依次延长，直到溅射出所需要的薄膜厚度；

所述第一时间为4min～6min，所述第二时间为2倍的第一时间，所述第三时间为3倍的第一时间，按此规律依次延长，第n时间为n倍的第一时间，n为自然数，且取值与所需要的所述薄膜厚度相关。

2.根据权利要求1所述的一种用于提高非晶材料无序性的间歇磁控溅射方法，其特征在于，所述靶基距为60mm～120mm。

3.根据权利要求1或2所述的一种用于提高非晶材料无序性的间歇磁控溅射方法，其特征在于，所述溅射腔体中充有惰性气体进行保护。

4.根据权利要求3所述的一种用于提高非晶材料无序性的间歇磁控溅射方法，其特征在于，所述惰性气体为Ar或He中的一种。