[发明专利]一种电阻可控碳化硅陶瓷的制备方法在审
| 申请号： | 201910969950.8 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110655407A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 茹红强;孙卫康;汤志强;李庆春;王春华 | 申请（专利权）人： | 山东东大新材料研究院有限公司;深圳市东陶新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/577 | 分类号： | C04B35/577;C04B35/58;C04B35/622;C04B35/65 |
| 代理公司： | 37205 济南舜源专利事务所有限公司 | 代理人： | 李江 |
| 地址： | 261200 山东省潍坊市坊子*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 碳化硅陶瓷 可控 制备 电催化氧化处理 导电陶瓷材料 低热膨胀系数 复合陶瓷材料 燃料电池电极 生产成本低 电子信息 高热传导 工业废水 模压成型 设备要求 烧结 高导电 抗蠕变 抗氧化 可控的 耐磨损 批量化 受电弓 质量比 高铁 过筛 造粒 钛源 穿戴 陶瓷 引入 生产 | ||
1.一种电阻可控碳化硅陶瓷，其特征在于，
所述电阻可控碳化硅陶瓷，原料包括：SiC粉、B4C粉、钛源、碳源、TiB2粉。
2.根据权利要求1所述的一种电阻可控碳化硅陶瓷，其特征在于，
所述原料，SiC粉、B4C粉、钛源、碳源、TiB2粉的质量配比为(40-80):(8-30):(20-70):(15-60):(25-55)。
3.一种电阻可控碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，
所述方法包括：配料、过筛造粒、模压成型、干燥、烧结。
4.根据权利要求3所述的一种电阻可控碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，
所述配料，将SiC粉、B4C粉、钛源、碳源、TiB2粉、结合剂与液体介质一起混合成浆料，在球磨罐中球磨。
5.根据权利要求3所述的一种电阻可控碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，
所述的配料中，SiC粉平均粒度为0.4-3μm，纯度大于98%；B4C粉平均粒度为0.4-5μm，纯度大于96%；TiB2粉平均粒度为1-5μm，纯度大于99%。
6.根据权利要求3所述的一种电阻可控碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，
所述的模压成型中，模压成型的压力为50-250MPa。
7.根据权利要求3所述的一种电阻可控碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，
所述的配料中，Ti源是Ti粉、TiCl4、TiO2粉、钛酸丁酯中的一种或任几种的组合。
8.根据权利要求3所述的一种电阻可控碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，
所述的配料中，碳源是酚醛树脂、绵白糖、炭黑、石墨烯中的一种或任几种的组合。
9.根据权利要求3所述的一种电阻可控碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所得到的电阻可控碳化硅陶瓷，弯曲强度为342-418MPa，断裂韧性为3.57-5.73MPa·m1/2，维氏硬度为23.52-28.92GPa，气孔率为0.8-5.6%，电阻率为1.7×10-3-7.6×10-3Ω·m。
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