[发明专利]InSb晶片损伤层深度的测试方法在审
| 申请号： | 201910970747.2 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110793986A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 柏伟;孔忠弟;侯晓敏;折伟林 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | G01N23/20 | 分类号： | G01N23/20;H01L21/66 |
| 代理公司： | 11010 工业和信息化部电子专利中心 | 代理人： | 于金平 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 半峰宽 隔离膜 损伤层 测试 晶片损伤 测量 腐蚀 红外探测器 定量测定 加工效率 晶片材料 科学指导 无损伤 应力层 去除 剥离 | ||
1.一种InSb晶片损伤层深度的测试方法，其特征在于，包括：
测量InSb晶片的重量M以及厚度H；
在所述InSb晶片的第一面设置隔离膜，并测量具有所述隔离膜的InSb晶片的重量M1；
对具有所述隔离膜的InSb晶片进行腐蚀，并对腐蚀后的InSb晶片进行半峰宽测试；
当半峰宽测试值趋于稳定，测量半峰宽测试值趋于稳定的InSb晶片的重量M2，并根据公式1计算InSb晶片损伤层深度h，
h＝(M1-M2)×H/M 公式1。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量InSb晶片的重量M以及厚度H，包括：
清洗InSb晶片；
测量清洗后的InSb晶片的重量M以及厚度H。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述清洗InSb晶片，包括：
依次采用丙酮、无水乙醇、去离子水对InSb晶片进行超声清洗；
利用氮气枪将清洗后的InSb晶片吹干。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在InSb晶片的第一面设置隔离膜，包括：
将所述第一面用胶带覆盖。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对具有所述隔离膜的InSb晶片进行腐蚀，并对腐蚀后的InSb晶片进行半峰宽测试，包括：
配制腐蚀液；
将具有所述隔离膜的InSb晶片逐次地浸入所述腐蚀液中进行腐蚀，并在每次腐蚀后对InSb晶片进行半峰宽测试。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述配制腐蚀液，包括：
准备氢氟酸HF、过氧化氢H2O2和水H2O；
按照HF：H2O2：H2O＝1：1：5～1：5：10的比例配制腐蚀液。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将具有所述隔离膜的InSb晶片逐次地浸入所述腐蚀液中进行腐蚀，包括：
将粘贴有所述隔离膜的InSb晶片放入聚四氟乙烯镂空盛放件中；
将盛放有InSb晶片的聚四氟乙烯镂空盛放件逐次地浸入所述腐蚀液中进行腐蚀。
8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将具有所述隔离膜的InSb晶片逐次地浸入所述腐蚀液中进行腐蚀，包括：
将具有所述隔离膜的InSb晶片按照所述隔离膜朝下的方式逐次地浸入所述腐蚀液中进行腐蚀。
9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将具有所述隔离膜的InSb晶片逐次地浸入所述腐蚀液中进行腐蚀，包括：
每次将具有所述隔离膜的InSb晶片持续浸入所述腐蚀液中预设时间段，所述预设时间段大于等于5秒且小于等于10秒。
10.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将具有所述隔离膜的InSb晶片逐次地浸入所述腐蚀液中进行腐蚀，并在每次完成腐蚀后对InSb晶片进行半峰宽测试，包括：
在对每次完成腐蚀后且对InSb晶片进行半峰宽测试前，用去离子水对InSb晶片进行清洗，并用氮气吹干。
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