[发明专利]一种低温SiC纤维表面石墨界面的制备方法有效
| 申请号： | 201910971091.6 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110563467B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王一光;陶鹏飞 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/628 | 分类号： | C04B35/628;C04B35/80;C04B35/565;G21C3/07 |
| 代理公司： | 北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙) 11639 | 代理人： | 毛燕 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 sic 纤维 表面 石墨 界面 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温条件下在SiC纤维表面制备石墨界面层的方法，其特征在于：具体步骤如下：
采用化学气相沉积法在SiC纤维预制体中引入界面层，制备出SiC纤维预制体；所述界面层为热解碳PyC层；
超声清洗并烘干；
采用磁场辅助加热的方式使PyC界面层石墨化，所述磁场强度为5~10特斯拉，磁场方向为沿纤维径向方向，加热温度为1000℃~1300℃，时间为30min~90min。
2.如权利要求1所述的一种低温条件下在SiC纤维表面制备石墨界面层的方法，其特征在于：所述PyC界面层的厚度为60~250nm。
3.如权利要求1所述的一种低温条件下在SiC纤维表面制备石墨界面层的方法，其特征在于：石墨界面层的厚度为50~200nm。
4.如权利要求1所述的一种低温条件下在SiC纤维表面制备石墨界面层的方法，其特征在于：使PyC界面层石墨化时处于惰性气体保护下进行。
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