[发明专利]一种电平移位电路有效
申请号: | 201910971499.3 | 申请日: | 2019-10-14 |
公开(公告)号: | CN110690889B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 吴为敬;林奕圳;陈俊伟;徐苗;王磊;宁洪龙;彭俊彪 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 王东东 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电平 移位 电路 | ||
本发明公开了一种电平移位电路,包括第一耦合模块、第二耦合模块及第三耦合模块;所述第一耦合模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第九晶体管以及第一电容;所述第二耦合模块包括第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第十晶体管及第二电容;所述第三耦合模块包括第七晶体管及第八晶体管,本发明在仅使用N型晶体管的情况下实现电平移位的功能,利用低摆幅信号控制切换高摆幅信号。
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管集成电路领域,具体涉及一种电平移位电路。
背景技术
电平移位电路是数字集成电路一个基础模块,其功能是使用低摆幅信号控制切换高摆幅信号,广泛应用于脉冲信号摆幅调整,传统的电平移位电路采用互补结构设计,电路结构简单,静态功耗极低。随着薄膜晶体管技术的发展,特别是氧化物半导体薄膜晶体管的发展,利用单一类型的晶体管直接集成数字电路是科学界和产业界发展的重要研究方向。
金属氧化物薄膜晶体管具有较高的载流子迁移率,与非晶硅工艺兼容度高,制备成本低廉,具有很好的均匀性和很高的电流开关比等等优点,具有很好的发展潜力。但是,由于金属氧化物薄膜晶体管只有N型能够稳定工作,传统的电平移位电路不能使用,因此需要提出了新型的仅采用N型晶体管实现的电平移位电路。
发明内容
为了克服现有技术存在的缺点与不足,本发明提供一种电平移位电路。
本发明采用如下技术方案:
一种电平移位电路,包括第一耦合模块、第二耦合模块及第三耦合模块;
所述第一耦合模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第九晶体管以及第一电容;
所述第一晶体管的栅极、第一晶体管的漏极及第九晶体管的漏极与第一高电平信号端连接,
所述第一晶体管的源极、第二晶体管的漏极与第一电容的一端连接,构成第一节点,
第二晶体管的源极、第三晶体管的漏极与第九晶体管的源极连接;
第二晶体管的栅极、第三晶体管的栅极与输入信号端连接;
第九晶体管的栅极与第一电容的另一端连接,构成第二节点;
第三晶体管的源极与低电平信号端相连;
所述第二耦合模块包括第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第十晶体管及第二电容;
第四晶体管的漏极与第二高电平信号端连接,第四晶体管的栅极与第一节点连接;
第四晶体管的源极、第五晶体管的漏极及第二电容的一端与第二节点连接;
第五晶体管的栅极及第六晶体管的栅极与输入信号端连接;
第五晶体管的源极、第六晶体管的漏极与第十晶体管的源极相连;
第六晶体管的源极与低电平信号端相连,第十晶体管的漏极与第一高电平信号端相连,第十晶体管的栅极及第二电容的另一端与输出信号端相连;
所述第三耦合模块包括第七晶体管及第八晶体管,第七晶体管的漏极与第二高电平信号端相连,第七晶体管的栅极与第二节点相连,第七晶体管的源极及第八晶体管的漏极与输出信号端相连,第八晶体管的栅极与输入信号端相连,第八晶体管的源极与低电平信号端相连。
所述第一高电平信号端与第二高电平信号端的信号皆为固定高电平,且第二高电平信号端的电压大于第一电平信号端的电压。
本发明所用晶体管均为N型晶体管。
本发明采用多级耦合的结构,利用级联反馈,保持各关键节点的电压,实现低摆幅信号控制切换高摆幅信号的功能。
本发明的有益效果:
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