[发明专利]一种聚集诱导红移发光聚合物及其制备方法与应用

说明书

本发明公开一种聚集诱导红移发光聚合物及其制备方法与应用，所述聚集诱导红移发光聚合物的结构通式为其中，n为大于等于8的整数；R₁、R₂独立地选自烷基。本发明通过利用短间隔基将AIE基元引入到聚合物侧链，并在侧链中引入扇形烷基链，提高了聚合物的流变性及加工性能，同时使得获得的AIE材料具有超长红移的性能；本发明的侧链调控的策略引入官能团时，不会破坏主链结构，同时还可以赋予材料更为丰富的功能。

技术领域

本发明涉及发光材料制备技术领域，尤其涉及一种聚集诱导红移发光聚合物及其制备方法与应用。

背景技术

聚集诱导发光(Aggregation-Induced Emission,AIE)是指发光材料随着分子聚集程度的增加发光逐渐增强，其与传统的聚集导致猝灭恰恰相反。鉴于荧光材料在本体状态的发光使用更为广泛，AIE现象发现后发展迅猛，经过近二十年的历程，新型AIE分子的开发、发光机理探讨、应用拓展等领域均取得了长足的进步。但是，目前报道的超长红移(红移距离大于100nm)的AIE材料并不多。

聚芳基乙炔类化合物具有独特的化学结构和多样化的功能，其作为一种荧光材料广泛应用于化学传感、生物成像、光学信息存储、刺激响应性智能材料等。这类聚合物主链上具有连续的π共轭，易于改变主链共轭单元或调控侧链修饰基团，进而实现材料的功能调控，特别是其优异的光学性能。其中，主链共轭基元通常采用芳香性大共轭结构，调控聚合物过程中往往会进一步增加聚合物的刚性，不利于进一步溶液加工。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种聚集诱导红移发光聚合物及其制备方法与应用，旨在解决现有的可溶液加工的超长红移的AIE材料不多的问题。

本发明的技术方案如下：

一种聚集诱导红移发光聚合物，其中，所述聚集诱导红移发光聚合物的结构通式为其中，n为大于等于8的整数；R₁、R₂独立地选自烷基。

一种如上所述的聚集诱导红移发光聚合物的制备方法，其中，反应式为如反应式(1)所示，包括步骤：惰性气氛下，在钯催化剂、CuI、缚酸剂的存在下，化合物M1、化合物M2在有机溶剂中进行聚合反应，得到聚集诱导红移发光聚合物P1。

一种如上所述的聚集诱导红移发光聚合物在制备荧光阵列中的应用。

有益效果：本发明通过利用短间隔基将AIE基元引入到聚合物侧链，并在侧链中引入扇形烷基链，提高了聚合物的流变性及加工性能，同时使得获得的AIE材料具有超长红移的性能；本发明的侧链调控的策略引入官能团时，不会破坏主链结构，同时还可以赋予材料更为丰富的功能。

附图说明

图1为本发明实施例1中，化合物M1(R₁＝C₈H₁₇)的制备路线图。

图2为本发明实施例1中，化合物5的制备路线图。

图3为本发明实施例1中，化合物M2(R₂＝C₈H₁₇)的制备路线图。

图4为本发明实施例1中，含有不同H₂O体积含量的同浓度(10^-4M)化合物M2(R₂＝C₈H₁₇)的THF-H₂O体系的荧光发射曲线对比图。