[发明专利]一种磁存储器底电极及其制造工艺和磁存储器

权利要求书

1.一种磁存储器底电极的制造工艺，其特征在于，包括：

衬底片上已完成磁存储器底部金属导线制作及表面平坦化；

依次沉积第一电介质层、第二电介质层、第三电介质层、第四电介质层和第五电介质层；

光刻通孔图案；

通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层，停在所述第三电介质层，或者通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层和第三电介质层，停在所述第二电介质层，以形成第一孔槽；

沉积第六电介质层，填充所述第一孔槽；

全片刻蚀，以使所述第六电介质层在所述第一孔槽内形成侧墙；

继续刻蚀剩余的电介质层，形成通孔；

通过所述通孔将后续制作的MTJ结构与所述金属导线电连接。

2.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，在所述通孔形成后，沉积金属并进行抛光，形成所述通孔内的金属栓塞。

3.如权利要求2所述的制造工艺，其特征在于，所述沉积金属后的抛光，抛光面及至所述第五电介质层或所述第四电介质层。

4.如权利要求2所述的制造工艺，其特征在于，所述沉积金属后的抛光，抛光面及至所述第三电介质层或所述第二电介质层。

5.如权利要求2所述的制造工艺，其特征在于，在所述金属栓塞形成后，沉积Ta或TaN。

6.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，各电介质层为氧化物电介质薄膜或氮化物电介质薄膜。

7.如权利要求6所述的制造工艺，其特征在于，所述第一电介质层、所述第三电介质层、所述第五电介质层和所述第六电介质层为氮化物电介质薄膜；所述第二电介质层和所述第四电介质层为氧化物电介质薄膜。

8.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，在所述侧墙形成后，执行去胶和清洗工艺，再继续刻蚀工艺。

9.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，在刻蚀所述剩余的电介质层以形成通孔的过程中，待刻蚀完所述第二电介质层后，执行去胶和清洗工艺，再继续刻蚀所述第一电介质层。

10.一种磁存储器的底电极结构，其特征在于，包括底部金属导线和设置在所述底部金属导线上的电介质层；所述电介质层开设有通孔，所述通孔与所述底部金属导线连通。

11.如权利要求10所述的底电极结构，其特征在于，所述通孔由第一孔槽和第二孔槽组成，所述第一孔槽较所述第二孔槽远离所述底部金属导线；所述第一孔槽由经边墙工艺形成的电介质所限定。

12.如权利要求10所述的底电极结构，其特征在于，所述通孔内填充有金属栓塞，所述金属栓塞与所述底部金属导线电接触。

13.如权利要求10所述的底电极结构，其特征在于，所述电介质层为多层结构。

14.权利要求10所述的底电极结构，其特征在于，所述电介质层为氧化物电介质薄膜和/或氮化物电介质薄膜。

15.如权利要求12所述的底电极结构，其特征在于，所述金属栓塞与所述电介质层所形成的表面上设置有Ta或TaN薄膜。

16.一种磁存储器，其特征在于，采用如权利要求1-9任一所述的制造工艺形成底电极。

17.一种磁存储器，其特征在于，包括如权利要求10-15任一所述的底电极结构。